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1N5712#T25的图片

1N5712#T25

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 20V 75MA
原厂封装:封装:-
优势价格,1N5712#T25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N5712#T25的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

1N5712#T25是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)生产的单肖特基势垒二极管。该器件采用经典的金属-半导体结架构,利用肖特基势垒原理实现整流功能,其核心在于金属与N型半导体材料接触形成的整流结。与传统PN结二极管相比,这种结构显著降低了正向导通压降,并具备极快的开关速度,这得益于其以多数载流子(电子)导电为主的工作机制,基本消除了少数载流子存储与复合带来的延迟。

该二极管的关键特性在于其卓越的高频性能与低功耗表现。在0V偏压和1MHz测试频率下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一极低的电容值使其对电路的高频特性影响微乎其微,非常适合射频信号处理和高频开关应用。同时,其最大正向整流电流为35mA最大反向峰值电压为20V,能够满足中小信号处理电路的电压与电流需求。其最大功耗为250mW,体现了高效的能量转换效率。对于需要可靠供应链的客户,可以通过专业的博通芯片代理获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面,该器件在低正向电压下即可实现导通,有效降低了信号损耗和系统功耗。其采用标准的DO-204AH(DO-35)轴向玻璃封装,这种封装形式具有良好的密封性和环境稳定性,便于在通孔安装(THT)的PCB板上进行布局和焊接,广泛应用于需要高可靠性的传统或模块化设计中。

基于其低电容、快速开关和低正向压降的特点,1N5712#T25非常适合应用于高频检波、射频混频、高速开关电路以及仪器仪表中的信号采样保持电路。它也常被用于低压、高效率的电源整流环节,或作为数字电路中的钳位二极管,保护敏感器件免受电压瞬变冲击。在通信设备、测试测量仪器及各类消费电子产品的射频前端与信号调理模块中,都能发现其身影。

  • 型号:1N5712#T25
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 75MA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):75mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 35 mA
  • 速度:小信号 =\< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 nA @ 16 V
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C
  • 想获取1N5712#T25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

1N5712#T25是Broadcom(原安华高)推出的一款单肖特基二极管,采用轴向玻璃封装(DO-35)。其核心优势在于专为高频应用优化,具备极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz),能最大限度地减少对射频及高速信号路径的干扰。

该器件提供20V的最大反向峰值电压和35mA的最大整流电流,结合肖特基二极管固有的低正向压降特性,确保了在中小信号处理场景下的高效能与低损耗。其250mW的功率耗散能力与稳定的封装形式,使其成为高频检波、混频、快速开关及精密信号处理电路的理想选择。

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