安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的5082-2800是一款采用轴向DO-35封装的单肖特基势垒二极管。该器件基于成熟的金属-半导体结技术构建,其核心在于利用肖特基接触替代传统的PN结,从而在正向导通时具有更低的开启电压和更快的开关速度。这种架构使其在特定应用中,尤其是在高频和低功耗场景下,相比标准硅二极管展现出显著优势。
该二极管的一个突出特性是其极低的结电容,在0V偏压和1MHz测试频率下典型值仅为2pF。这一低电容特性对于维持信号完整性至关重要,能有效减少高频信号路径中的寄生效应和信号衰减。同时,其70V的最大峰值反向电压提供了足够的裕量,适用于多种低压至中压电路环境。其正向额定电流为15mA,最大功耗为250mW,定位明确,专为小信号处理、检测及高频整流等对效率和速度有要求的场合设计。
在电气参数方面,5082-2800的轴向引线封装(DO-204AH,即DO-35)使其兼容通孔安装工艺,便于在原型开发或传统PCB布局中使用。其紧凑的玻璃封装体也确保了良好的环境密封性和可靠性。对于需要获取此型号正品货源与技术支持的工程师,可以通过官方授权的博通中国代理进行采购与咨询。
得益于肖特基二极管固有的快速恢复特性与低正向压降,该器件非常适合应用于高频检波、射频混频器、信号钳位以及高速开关电路中。它也常见于仪器仪表的采样保持电路、低压电源的整流环节,或作为逻辑电路中的保护二极管。其性能组合使其成为在空间受限且对开关损耗和信号失真敏感的设计中一个可靠且高效的选择。
5082-2800是安华高科技(Broadcom博通)生产的一款轴向封装单肖特基二极管。该器件核心优势在于其高频性能,在0V偏压及1MHz条件下,结电容典型值低至2pF,这使其非常适合于射频和小信号应用,能最大限度地减少对高速信号的干扰。
该二极管提供70V的峰值反向电压额定值和15mA的最大正向电流,最大功耗为250mW。其DO-35(DO-204AH)轴向玻璃封装确保了器件的可靠性与广泛的电路板兼容性。这些参数共同定义了其在小功率、高频率电路中的精准定位,如检波、混频及高速开关等关键功能模块。