5082-2810#T25

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计制造的肖特基二极管，5082-2810#T25采用了成熟的肖特基势垒金属-半导体结架构。这种结构相较于传统的PN结二极管，其核心优势在于具有极低的正向导通电压和极快的开关速度。该器件在制造工艺上进行了优化，确保了在微小信号电平下仍能保持优异的整流特性与稳定性，其轴向DO-35封装形式也体现了经典与可靠的工程设计理念。

该二极管的功能特性突出表现在其高频与低功耗性能上。其反向恢复时间极短，这使其在高速开关电路中能有效减少开关损耗和电压尖峰，提升整体系统效率。同时，在0V偏压、1MHz测试条件下的结电容仅为1.2pF，这一低电容特性对于高频RF电路、信号检波和混频应用至关重要，能最大限度地减少对高频信号的衰减和相位失真。其最大正向连续电流为35mA，最大功耗为250mW，适用于小功率信号处理领域。

在电气参数与接口方面，博通授权代理提供的技术资料显示，5082-2810#T25的峰值反向电压为20V，为其在低压逻辑电路、便携设备中的安全应用提供了保障。其轴向引线封装（DO-204AH， DO-35）便于在通孔PCB板上进行安装，具有良好的机械强度和散热特性。这些参数共同定义了一个适用于精密、高速场景的半导体开关元件。

基于上述技术特点，5082-2810#T25非常适合应用于对速度和效率有苛刻要求的场景。典型应用包括VHF/UHF频段的射频检波与混频器、高速数据采集系统中的信号钳位与保护、精密仪器仪表中的低电压整流，以及各类需要快速开关逻辑控制的便携式电子设备。它是工程师在设计中追求高频性能与低功耗平衡时的可靠选择。

• 型号:5082-2810#T25
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:20V
• 电流 - 最大值:35 mA
• 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
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5082-2810#T25是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款轴向封装肖特基二极管。该器件核心卖点在于其优异的高频特性，其结电容在0V、1MHz条件下低至1.2pF，配合肖特基二极管固有的超快开关速度，使其非常适合射频信号处理和高速开关应用。

该二极管额定峰值反向电压为20V，最大正向连续电流35mA，最大功耗250mW，定位明确于小功率、高频率的电路设计。其DO-35轴向封装形式确保了应用的经典性与可靠性，为高频检波、混频、信号钳位及精密整流等场景提供了高效的半导体解决方案。