5082-2835#T25

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的5082-2835#T25是一款采用轴向DO-35封装的单肖特基势垒二极管。该器件基于成熟的金属-半导体结技术构建，其核心优势在于利用肖特基接触替代了传统PN结，从而实现了极低的正向压降和超快的开关速度。这种架构使其在低电压、小电流的精密电路中表现出色，能够有效减少功率损耗并提升系统响应效率。

该二极管具备8V的峰值反向电压和10mA的最大正向电流能力，专为低功耗信号处理和高频应用而优化。其在0V偏压和1MHz测试条件下的结电容仅为1pF，这一特性对于维持高频信号的完整性至关重要，能最大限度地减少对高速电路的负载效应和信号失真。此外，其最大功率耗散为150mW，在紧凑的DO-204AH（DO-35）轴向封装内提供了可靠的散热性能，便于在空间受限的PCB布局中进行安装。

在接口与参数方面，5082-2835#T25的轴向引线设计兼容通孔安装工艺，提供了良好的机械强度和焊接可靠性。其电气参数，特别是极低的结电容和适中的反向电压，使其成为高频检波、信号钳位、低压整流以及高速开关电路中的理想选择。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的博通中国代理获取该产品及相关设计资源。

该器件的典型应用场景广泛覆盖通信设备、测试与测量仪器、便携式消费电子以及各类需要高效高频整流的工业控制模块。例如，在射频信号链中，它可用于检波器或混频器；在数字电路中，可作为保护性钳位二极管以防止电压过冲。其出色的高频特性和稳定的性能，使其成为工程师在追求系统高效能与高可靠性时的重要基础元件之一。

• 型号:5082-2835#T25
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 8V 150MW
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:8V
• 电流 - 最大值:10 mA
• 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:150 mW
• 工作温度:-60°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
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5082-2835#T25是安华高科技（Broadcom博通）生产的一款轴向封装单肖特基二极管。该器件核心卖点在于其针对高频与低功耗应用优化的电气特性，具备8V的峰值反向电压和10mA的最大正向电流额定值。

其关键优势在于极低的结电容，在0V、1MHz条件下典型值仅为1pF，这确保了其在高速开关和射频信号处理中能最小化寄生效应，保持信号完整性。150mW的功率耗散能力与DO-35轴向封装的结合，为紧凑型电路设计提供了可靠的解决方案。