5082-3080#T25

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的5082-3080#T25是一款采用轴向封装的PIN二极管射频开关器件。其核心架构基于高性能的单PIN结设计，通过精确控制PIN二极管在正向偏置（低阻抗）与反向偏置（高阻抗）状态之间的切换，实现对射频信号路径的有效导通与隔离，从而完成高速、低损耗的开关功能。这种设计使其在射频前端电路中扮演着关键角色，尤其适用于需要快速切换和高隔离度的应用环境。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。其极低的结电容（0.4pF @ 50V, 1MHz）是核心优势之一，这确保了在高频工作状态下信号路径的寄生效应最小化，从而维持了良好的信号完整性和带宽性能。同时，在正向偏置条件下，它表现出较低的串联电阻（2.5欧姆 @ 100mA, 100MHz），这直接转化为较低的插入损耗，有助于提升整个射频链路的效率。其高达100V的峰值反向电压提供了宽裕的安全工作裕度，增强了电路的可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的Broadcom代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与关键参数方面，5082-3080#T25采用经典的DO-35（DO-204AH）轴向玻璃封装，这种封装形式具有良好的高频特性和机械稳定性，便于在传统PCB板上进行安装或用于同轴组件中。其最大正向电流为100mA，最大功率耗散为250mW，这些参数定义了其驱动条件和热管理边界。结合其低电容和低电阻的特性，该器件能够在从高频到甚高频乃至部分超高频的频段内稳定工作。

基于上述技术特性，5082-3080#T25非常适合应用于对开关速度和射频性能有较高要求的场景。典型应用包括通信系统中的天线调谐与切换电路、测试与测量设备中的射频信号路由、以及雷达或电子对抗设备中的快速波束形成网络。其稳健的设计也使其成为工业射频控制、业余无线电设备升级等项目中值得信赖的元件选择。

• 型号:5082-3080#T25
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:100 mA
• 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
• 想获取5082-3080#T25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

5082-3080#T25是Broadcom（原安华高）提供的一款高性能PIN二极管，专为射频开关应用而设计。其核心价值在于极低的结电容（0.4pF @ 50V）和正向串联电阻（2.5欧姆 @ 100mA），这共同实现了在高频工作下的低插入损耗和高隔离度，有效保障了射频信号的传输质量。

该器件采用DO-35轴向封装，具备100V的高峰值反向电压和250mW的功率耗散能力，确保了在严苛射频环境下的可靠性与耐用性。这些参数使其成为构建高效、快速射频开关电路的理想选择，能满足从通信基础设施到精密测试设备等多种应用的需求。