5082-3081

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频开关二极管，5082-3081采用了经典的PIN二极管单管芯架构。其核心在于利用PIN结构（P型-本征-N型半导体）的独特物理特性，在高频状态下，本征（I）层在正向偏置时可存储大量电荷，表现为一个受电流控制的可变电阻；在反向偏置时，则呈现为一个近乎恒定的极小电容。这一特性使其成为构建高效、快速射频开关与衰减器的理想选择。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频性能与可靠性上。其极低的结电容（0.4pF @ 50V, 1MHz）确保了在高达数百兆赫兹乃至更高频段下，信号路径的插入损耗极低，对系统整体性能影响微小。同时，在100mA正向电流、100MHz条件下，其导通电阻仅为3.5欧姆，这为射频开关提供了优异的隔离度与导通状态下的低损耗特性。轴向DO-35（DO-204AH）封装形式成熟可靠，便于在传统PCB布局或同轴结构中集成。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过博通中国代理获取该产品及相关服务。

在电气参数方面，5082-3081定义了明确的工作边界。其峰值反向电压高达100V，最大正向直流电流为100mA，最大功耗为250mW，这些参数为设计者提供了宽裕的安全工作区。低电容与低电阻的组合参数，直接决定了其在射频开关、调制电路以及限幅器应用中的核心性能指标。其接口形式为标准轴向引线，兼容自动化插装与手工焊接工艺，适应性强。

基于上述技术特性，5082-3081主要面向对性能有严格要求的射频应用场景。它常见于通信基础设施设备，如基站中的收发（T/R）开关，实现天线在发射与接收模式间的快速、低损耗切换。在测试与测量仪器中，它可用于构建程控衰减器或信号路由开关。此外，在军用电子、航空电子以及高频有线电视（CATV）系统中，其稳定的性能和耐用的封装也使其成为高可靠性设计的优选元器件。

• 型号:5082-3081
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:100 mA
• 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:3.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
• 想获取5082-3081的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

5082-3081是Broadcom（原安华高）推出的一款高性能PIN射频开关二极管，采用轴向DO-35封装。其核心优势在于为高频开关应用提供了极佳的电容与电阻特性组合。

该器件在50V反向偏压、1MHz测试条件下的结电容典型值仅为0.4pF，这确保了在高频信号路径中引入的损耗极低。同时，在100mA正向电流驱动下，其射频导通电阻低至3.5欧姆（@100MHz），能够实现出色的信号导通效率与开关隔离度。其100V的峰值反向电压与250mW的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛射频环境下的工作可靠性。