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5082-3379的图片

5082-3379

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V 250MW
原厂封装:封装:-
优势价格,5082-3379的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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5082-3379的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频开关二极管,5082-3379采用了经典的PIN二极管单管芯架构。其核心在于利用PIN结构(P型-本征-N型半导体)在正向偏置和反向偏置下呈现截然不同的射频阻抗特性,从而实现高效的射频信号路径切换。这种结构使得该器件在正向偏置时表现为一个低电阻,允许射频信号通过;而在反向偏置时,其耗尽层变宽,呈现为一个极低电容值的高阻抗状态,从而有效隔离射频信号。这种基于直流偏置控制的开关机制,为电路设计提供了简洁可靠的高频信号路由解决方案。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在50V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容(Cj)典型值低至0.4pF,这一关键指标对于高频应用至关重要,因为它直接决定了器件在关断状态下的信号隔离度与插入损耗。极低的电容确保了在UHF乃至更高频段,开关能够实现良好的关断隔离,减少信号泄漏。同时,其轴向DO-35(DO-204AH)封装是一种经过长期验证的可靠封装形式,便于在PCB上进行通孔安装,具有良好的机械强度和散热特性。对于需要稳定供应的项目,可以通过专业的Broadcom代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与电气参数方面,5082-3379定义了明确的工作边界。其最大峰值反向电压(VR)为50V,最大正向直流电流(IF)为50mA,最大功耗为250mW,这些参数为工程师设计偏置电路和保护电路提供了明确依据。轴向引线设计使其能够灵活地集成到各种电路布局中。其性能参数共同指向一个目标:在宽频带范围内实现低损耗的导通与高隔离度的关断,为射频前端电路提供一个快速、稳定的固态开关元件。

基于上述技术特性,5082-3379非常适合应用于对频率响应和隔离度有要求的场景。典型应用包括通信设备中的天线切换开关、收发(T/R)切换模块,测试仪器中的信号路由与衰减网络,以及各类需要电子控制射频信号通断的系统中。其50V的反向耐压和良好的射频特性,使其能够在多种阻抗匹配环境下稳定工作,是工程师构建紧凑、高效射频开关电路的经典选择之一。

  • 型号:5082-3379
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:50 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
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5082-3379是一款采用轴向封装的单PIN二极管,专为射频开关应用设计。其核心优势在于极低的结电容,在50V反向偏压、1MHz条件下典型值仅为0.4pF,这确保了在高频段(如UHF)仍能实现优异的关断隔离性能。

该器件提供50V的峰值反向电压和50mA的最大正向电流,功耗为250mW,采用经典的DO-35(DO-204AH)封装。这些参数使其成为天线切换、T/R模块及信号路由等需要快速、低损耗控制射频路径应用的理想固态开关解决方案。

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