AFBR-S4N33C013

作为一款高性能硅光电倍增管（SiPM）产品，AFBR-S4N33C013采用了先进的单光子雪崩二极管（SPAD）阵列技术，并封装在紧凑的3mm x 3mm芯片级封装（CSP）内。其核心架构基于30微米（30m）的微单元设计，这种精细的像素化结构能够实现极高的光子探测效率（PDE），尤其是在近紫外（NUV）波段。每个微单元都工作在盖革模式下，通过淬灭电路实现快速复位，使得该器件能够以极高的灵敏度探测微弱光信号，甚至达到单光子级别，同时保持了出色的动态范围和线性度。

该器件的功能特点十分突出，其光谱响应范围覆盖300nm至900nm，峰值响应波长位于420nm，对紫外线（UV）具有增强的探测能力，使其在需要紫外光检测的应用中表现卓越。暗电流典型值低至300nA，这有效降低了器件的本底噪声，提升了信噪比，对于检测极微弱光信号至关重要。其有效感光面积达到9mm，在紧凑的封装尺寸下实现了较大的光收集区域，有助于提高整体探测效率。器件支持高达26.9V的反向偏置电压，为雪崩倍增过程提供了充足的工作区间。

在接口与关键参数方面，AFBR-S4N33C013采用表面贴装（SMT）形式，便于集成到现代电子系统中。其工作温度范围宽广，从-40°C到85°C，确保了在苛刻工业或户外环境下的稳定性和可靠性。这些参数共同构成了一个高灵敏度、低噪声、宽光谱响应且坚固耐用的光子探测解决方案。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的Broadcom代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其卓越的性能，该SiPM传感器非常适合多种高要求的应用场景。在医疗与生命科学领域，它是流式细胞仪、DNA测序仪和正电子发射断层扫描（PET）等设备中探测荧光或闪烁光的理想选择。在工业领域，可用于高精度激光测距（LiDAR）、粒子检测和低光度分析。此外，在环境监测中，可用于大气污染物检测或水质分析中特定波长的光强测量。其小尺寸和表面贴装特性也使其成为空间受限的便携式或嵌入式检测设备的优选传感器。

• 型号:AFBR-S4N33C013
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:
• 类目:传感器，变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
• 描述:SENSOR PHOTODIODE 420NM 9UBGA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 波长:420nm
• 颜色 - 增强:紫外线（UV）
• 频谱范围:300nm ~ 900nm
• 二极管类型:-
• 不同 nm 时响应度:-
• 响应时间:-
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:26.9 V
• 电流 - 暗（典型值）:300nA
• 有效面积:9mm
• 视角:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:9-UBGA，CSPBGA
• 想获取AFBR-S4N33C013的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AFBR-S4N33C013是一款由安华高科技（现属Broadcom博通）推出的硅光电倍增管（SiPM），采用3mm x 3mm芯片级封装（CSP）。该器件基于30微米微单元技术，专为高灵敏度光子探测而设计，其核心优势在于极低的暗电流（典型值300nA）和高达26.9V的最大反向工作电压，这共同保障了出色的信噪比和宽广的动态范围。

其光谱响应覆盖300nm至900nm，并在420nm波长处具有峰值响应，对紫外线（UV）探测进行了增强，有效感光面积为9mm。这些特性使其成为检测微弱光信号，尤其是紫外波段信号的理想选择。器件工作温度范围为-40°C至85°C，采用表面贴装，适合要求高可靠性、紧凑尺寸和宽环境适应性的各类光电检测系统。