作为一款高性能红外发射器件,ARE6-8831-0JL00采用了安华高科技(现隶属于Broadcom博通)先进的半导体工艺技术。其核心架构基于高效率的砷化镓铝(AlGaAs)材料体系,专为在1.5A的最大正向直流电流下稳定工作而优化,确保了在高驱动条件下的可靠性与长寿命。该器件设计为表面贴装型,采用紧凑的封装形式,支持卷带或剪切带包装,便于自动化大规模生产组装。
该红外发射器的核心功能特点是其高功率输出与精确的光学性能。在1A的驱动电流下,它能提供高达630mW/sr的最小辐射强度,这使其在需要强红外照明的应用中表现出色。其发射波长为855nm,位于近红外光谱区域,这一波长对许多硅基光电传感器(如CMOS图像传感器或光电二极管)具有很高的灵敏度,同时对人眼不可见,非常适合需要隐蔽照明的场景。其宽达80°的视角提供了广阔的照射范围,减少了系统中所需元器件的数量。
在电气接口与关键参数方面,该器件在典型工作条件下的正向压降为3.05V,工程师在设计驱动电路时需要据此计算功耗。其坚固性体现在-40°C至120°C的宽工作温度范围,使其能够适应从工业控制到户外设备的苛刻环境。产品的方向为顶视图发射,便于在PCB上进行光学布局设计。对于需要可靠供应链保障的客户,可以通过官方博通授权代理渠道获取此型号,确保产品的原装正品与技术支持。
基于其高功率、高辐射强度及855nm的特定波长,ARE6-8831-0JL00非常适合多种应用场景。它常被用于安防监控领域,作为红外补光灯,为夜视摄像头提供清晰、无红曝的照明。在工业自动化中,可用于机器视觉系统的主动照明,提高检测精度。此外,在接近传感、红外通信模块以及一些需要非可见光光源的消费电子和医疗设备中,它也是一个可靠的选择。
ARE6-8831-0JL00是Broadcom(安华高)推出的一款高功率红外发光二极管(IRLED)。该器件发射波长为855nm,在1A驱动电流下可提供最小630mW/sr的辐射强度,具备强大的红外光输出能力。
其设计支持高达1.5A的最大正向电流,典型正向电压为3.05V,并拥有80°的宽视角。采用表面贴装封装,工作温度范围覆盖-40°C至120°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性,适用于需要高强度、非可见光照明的各类工业和消费电子应用。