ARE6-88C1-0GH00是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的高性能红外发光二极管(IRLED)。该器件采用先进的半导体材料和优化的封装结构,旨在提供高功率、高效率的红外光输出,其核心设计围绕在1A正向电流下实现高达400mW/sr的最小辐射强度,同时维持稳定的电气与热学特性。
该芯片的核心优势在于其高功率输出能力与宽视角特性。在1A的直流正向电流驱动下,它能稳定发射出波长为855nm的红外光,这个波长范围在常见硅基光电传感器(如CMOS图像传感器或光电二极管)的响应峰值附近,确保了极高的光电转换效率。其80°的宽视角设计,使得发射出的红外光能够覆盖更广阔的区域,非常适用于需要大面积均匀照明的场景。正向电压典型值仅为1.7V,有助于降低系统的整体功耗和热管理压力。
在接口与参数方面,ARE6-88C1-0GH00采用表面贴装(SMT)封装,支持自动化贴片生产,提升了装配效率和可靠性。其工作温度范围极宽,从-40°C到120°C,确保了在严苛的工业或户外环境中也能稳定运行。该器件提供卷带(TR)或剪切带(CT)包装,以适应不同规模的生产需求。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过博通中国代理获取该产品及相关技术支持。
基于其高辐射强度、宽视角和坚固耐用的特性,ARE6-88C1-0GH00非常适合应用于对红外光源性能要求较高的领域。典型应用包括安防监控系统中的夜视补光、工业机器视觉的定位与检测、接近传感与物体识别,以及各种需要非可见光照明的人机交互设备。其稳定的输出和宽温工作能力,使其成为构建可靠红外光学系统的关键组件。
ARE6-88C1-0GH00是一款高功率红外发光二极管,专为需要高强度、高效率红外照明的应用而设计。其核心特性是在1A驱动电流下可提供最小400mW/sr的辐射强度,发射波长为855nm,与硅基光电探测器具有优异的匹配性。
该器件采用表面贴装形式,具备80°的宽视角和仅1.7V的典型正向电压,有利于实现低功耗和广区域均匀照明。其工作温度范围覆盖-40°C至120°C,确保了在恶劣环境下的可靠性与长寿命,适用于自动化生产。