ASML-5829-TR2G

作为一款高性能射频二极管，ASML-5829-TR2G采用了独特的引脚与肖特基二极管串联架构。这种设计将两种二极管的优势特性相结合，在单一封装内实现了更优的射频性能与电气特性。其内部结构经过精密优化，确保了在宽频带范围内信号处理的稳定性和一致性，为射频前端电路提供了可靠的非线性元件解决方案。

该器件在功能上表现出色，其核心特性包括高达128V和22V的峰值反向电压，能够有效承受射频电路中的电压波动和尖峰冲击。在1MHz频率、5V反向偏压条件下，其结电容低至0.375pF，这一特性显著降低了高频信号路径中的寄生电容效应，有利于保持信号完整性并减少插入损耗。同时，在100MHz频率、5mA正向电流下，其串联电阻仅为2.5欧姆，较低的导通电阻有助于提升功率传输效率并减少热损耗。

在接口与参数方面，ASML-5829-TR2G采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其最大正向电流为1A，能够满足多数中功率射频应用的需求。该器件的工作结温高达150°C，展现了良好的热稳定性和环境适应性。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，用户在选型时需考虑供应链的长期支持，可通过博通中国代理等官方渠道获取库存信息或替代方案咨询。

凭借其优异的射频特性，该芯片广泛应用于需要高频开关、信号调制、衰减控制或限幅保护的场景。典型应用包括移动通信基站的前端模块、卫星通信接收机、微波测试仪器以及各类无线收发设备。其低电容、低电阻的特性使其特别适合用于VHF至微波频段的电路设计，在保证系统性能的同时，有助于实现设备的小型化和高可靠性。

• 型号:ASML-5829-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 128V/22V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:引脚 + 肖特基，1 对串联连接
• 电压 - 峰值反向（最大值）:128V，22V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.375pF @ 5V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• 想获取ASML-5829-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ASML-5829-TR2G是安华高科技（现博通）推出的一款射频PIN二极管，采用引脚与肖特基二极管串联的独特结构，封装于紧凑的SOT-323中。其核心优势在于极低的结电容（0.375pF @ 5V, 1MHz）和串联电阻（2.5Ω @ 5mA, 100MHz），能有效最小化高频信号路径中的损耗和失真。

该器件具备128V/22V的高峰值反向电压和1A的最大正向电流，结合150°C的最高工作结温，确保了在严苛射频环境下的稳定性和耐用性。这些参数使其成为高频开关、衰减、调制及限幅电路的理想选择，适用于通信基础设施、测试测量设备等对射频性能要求较高的领域。