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AT-41435G的图片

AT-41435G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO-X
原厂封装:封装:35 micro-X
优势价格,AT-41435G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-41435G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频晶体管,AT-41435G采用了先进的NPN双极结型晶体管(BJT)架构。其核心设计针对高频应用进行了优化,能够在高达8GHz的跃迁频率下稳定工作,这使其在微波频段仍能保持卓越的信号处理能力。该器件采用表面贴装型封装,具体为紧凑的4-SMD(35 micro-X)形式,便于在现代高密度PCB板上实现自动化装配,满足小型化设备的设计需求。

在射频性能方面,该晶体管展现出显著的优势。其噪声系数在1GHz至4GHz的宽频带范围内典型值仅为1.3dB至3dB,这意味着它在放大微弱信号时引入的额外噪声极低,对于接收机前端等对信号纯净度要求极高的应用至关重要。同时,它提供了10dB至18.5dB的增益范围,确保了信号的有效放大。器件集电极-发射极击穿电压最大值为12V,最大集电极电流为60mA,最大功耗为500mW,并在10mA、8V条件下DC电流增益(hFE)最小值为30,这些参数共同定义了其稳健的线性工作区域。其结温(TJ)最高可承受150°C,保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要获取此型号的工程师,可以通过专业的Broadcom代理商进行咨询和采购。

从接口和参数匹配角度看,AT-41435G的设计使其易于集成到标准的50欧姆射频系统中。其S参数在常用频段内经过优化,有助于简化电路匹配网络的设计,缩短开发周期。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过市场验证的性能指标,使其在特定领域和现有系统维护中仍具有重要参考价值。

该晶体管典型的应用场景覆盖了需要高性能、低噪声射频放大的各类设备。它非常适合用作C波段及以下频段的低噪声放大器(LNA),广泛应用于卫星通信接收端、点对点无线电链路、测试与测量仪器以及雷达系统的前端模块。其高增益和良好的线性度也使其适用于驱动级放大或振荡器电路,是构建稳定、高效射频信号链路的可靠选择。

  • 型号:AT-41435G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:35 micro-X
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO-X
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • 增益:10dB ~ 18.5dB
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60mA
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-SMD(35 micro-X)
  • 供应商器件封装:35 micro-X
  • 想获取AT-41435G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-41435G是安华高科技(Avago/Broadcom)推出的一款高性能NPN射频晶体管,采用表面贴装封装。其核心优势在于高达8GHz的跃迁频率和极低的噪声系数(典型值1.3dB @ 1GHz),专为要求高增益和优异噪声性能的微波应用而设计。

该器件在宽频带内提供10dB至18.5dB的增益,最大功耗500mW,并能在高达150°C的结温下工作,确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为卫星通信、点对点射频链路及测试设备中低噪声放大器(LNA)和驱动级的理想选择。

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