AT-41533-TR2G

AT-41533-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的NPN型硅射频晶体管，采用紧凑的表面贴装SOT-23-3封装。该器件基于成熟的硅双极结型晶体管（BJT）技术，其核心架构针对射频信号的低噪声放大进行了优化，内部结构设计旨在最小化寄生参数，确保在高达2.4GHz的宽频带范围内保持稳定的高频性能。

该晶体管在射频前端应用中表现出色，其噪声系数在900MHz至2.4GHz的常用通信频段内典型值仅为1dB至1.6dB，这对于接收链路灵敏度的提升至关重要。同时，它提供了9dB至14.5dB的增益，能够在有效放大微弱信号的同时，保持良好的线性度。器件集电极-发射极击穿电压最大值为12V，最大集电极电流为50mA，最大功耗为225mW，直流电流增益（hFE）在5mA、5V条件下最小为30，这些参数共同保证了其在典型工作条件下的可靠性与稳定性。其结温（Tj）最高可承受150°C，适应大多数商业及工业环境的要求。对于需要获取此型号技术支持和供货服务的用户，可以联系博通中国代理以获取相关资源。

在接口与参数方面，该器件为标准三引脚（发射极、基极、集电极）表面贴装设计，兼容TO-236-3（SC-59，SOT-23-3）封装，便于自动化贴装和高密度PCB布局。其优异的频率响应和增益平坦度使其能够无缝集成到各类射频模块中。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能指标，使其在特定存量系统或对成本敏感的设计中仍具参考价值。

其典型应用场景主要集中在需要高性能、低成本射频放大的领域，例如900MHz ISM频段设备、1.8-2.4GHz的无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、Zigbee通信前端以及各类无线传感器网络（WSN）的接收机低噪声放大器（LNA）级。它也非常适合用作VCO缓冲放大器或混频器的本地振荡器驱动级，为系统提供纯净、稳定的本振信号。

• 型号:AT-41533-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 12V SOT-23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V
• 频率 - 跃迁:-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
• 增益:9dB ~ 14.5dB
• 功率 - 最大值:225mW
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 5mA，5V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23
• 想获取AT-41533-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-41533-TR2G是一款NPN硅射频晶体管，采用SOT-23-3表面贴装封装，专为高频、低噪声放大应用而设计。其核心优势在于优异的射频性能组合：在900MHz至2.4GHz频段内提供低至1dB至1.6dB的典型噪声系数，以及9dB至14.5dB的增益，能有效提升接收链路的信噪比和灵敏度。

该器件具备12V的集射极击穿电压、50mA的最大集电极电流以及225mW的功耗能力，直流电流增益（hFE）最小值为30，确保了在宽泛工作条件下的稳定性和可靠性。其最高结温为150°C，适用于商业及工业级应用环境。作为一款经典的射频晶体管，它为目标频段的无线通信前端设计提供了经过验证的高性价比解决方案。