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AT-41586-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
原厂封装:封装:86 塑料
优势价格,AT-41586-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-41586-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

AT-41586-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计制造的高性能NPN双极结型晶体管(BJT)。该器件采用先进的硅基工艺制造,核心架构针对射频(RF)和微波应用进行了深度优化,其紧凑的SOT-86表面贴装封装集成了高性能的晶体管芯片,确保了在极高频段下依然具备卓越的电气性能和信号完整性。

该晶体管的核心优势在于其高达8GHz的跃迁频率,这使其能够稳定工作在L波段至C波段的射频范围内,非常适合需要高速信号处理的场景。其噪声性能尤为突出,在1GHz至4GHz的宽频带内,噪声系数典型值维持在1.4dB至3dB的低水平,这对于接收机前端放大等对信号纯净度要求极高的应用至关重要。同时,器件提供了8dB至17dB的增益范围,为系统设计提供了灵活的增益预算和良好的信号放大能力。其集电极-发射极击穿电压最大值为12V,最大集电极电流为60mA,最大功耗为500mW,在保证性能的同时兼顾了设计的可靠性。如需获取该产品的技术支持或采购服务,可以联系专业的博通中国代理

在接口与参数方面,AT-41586-BLKG采用标准的表面贴装技术(SMT),封装形式为86塑料SMD(供应商器件封装),即SOT-86,便于自动化生产并节省电路板空间。其直流电流增益(hFE)在典型工作条件(10mA, 8V)下最小值为30,确保了良好的电流驱动能力和线性度。这些参数共同定义了一款在宽频带内兼具低噪声、高增益和高频率特性的射频晶体管。

基于上述技术特性,AT-41586-BLKG非常适合应用于对频率响应和噪声指标有严苛要求的领域。典型应用场景包括蜂窝通信基础设施(如基站低噪声放大器LNA)、卫星通信接收链路、微波点对点无线电、测试与测量设备的前端信号调理,以及各类军用和民用雷达系统的射频模块。它是工程师在设计和优化高频、高性能射频接收通道时的可靠选择。

  • 型号:AT-41586-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:86 塑料
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • 增益:8dB ~ 17dB
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60mA
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-86
  • 供应商器件封装:86 塑料
  • 想获取AT-41586-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-41586-BLKG是Broadcom(博通)旗下的一款高性能NPN射频晶体管,采用SOT-86表面贴装封装。其核心卖点在于高达8GHz的跃迁频率和优异的低噪声特性,在1GHz至4GHz频段内噪声系数典型值低至1.4dB~3dB,同时提供8dB~17dB的增益,非常适合高频信号放大应用。

该器件额定集电极-发射极电压为12V,最大集电极电流60mA,最大功耗500mW,直流电流增益(hFE)最小值为30,在宽频带内实现了性能、尺寸与可靠性的良好平衡。这些参数使其成为无线通信、雷达及测试设备中低噪声放大器(LNA)和驱动放大级的理想选择。

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