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AT-42035G的图片

AT-42035G

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO-X
原厂封装:封装:35 micro-X
优势价格,AT-42035G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-42035G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

AT-42035G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的高性能射频晶体管。该器件采用先进的NPN双极结型晶体管(BJT)架构,专为微波频段应用优化。其核心设计聚焦于实现高频下的高增益与低噪声特性,集电极-发射极击穿电压为12V,最高工作频率可达8GHz,使其能够在复杂的射频信号链中提供稳定的放大功能。

该芯片的显著特性在于其卓越的射频性能平衡。在2GHz至4GHz的常用频段内,其噪声系数典型值仅为2dB至3dB,同时提供10dB至13.5dB的增益,这对于接收机前端低噪声放大器(LNA)设计至关重要,能有效提升系统的接收灵敏度。其直流电流增益(hFE)在35mA、8V条件下最小值为30,确保了良好的线性度和偏置稳定性。此外,器件最大集电极电流为80mA,最大功耗为600mW,结合高达150°C的结温(TJ)工作能力,赋予了其在紧凑空间和一定热环境下的可靠运行潜力。

在物理接口与封装方面,AT-42035G采用表面贴装型(SMD)的4引脚35 micro-X封装。这种紧凑的封装形式非常适合高密度PCB布局,满足了现代无线通信设备小型化的需求。其电气参数,包括击穿电压、工作频率、增益、噪声系数和功耗,共同定义了一个适用于中低功率、高频率场景的射频有源器件性能边界。对于需要获取此型号进行设计验证或备货的工程师,可以通过授权的博通代理商查询库存与技术资料。

基于其技术规格,AT-42035G主要面向需要高性能射频放大的应用场景。典型应用包括蜂窝通信基础设施(如基站接收链路)、点对点无线射频链路、卫星通信终端以及各类测试测量仪器中的射频前端模块。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和特定领域的维护、升级设计中,它仍然是一个具有参考价值的关键元器件,体现了其在设计周期内所提供的高频解决方案的有效性。

  • 型号:AT-42035G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:35 micro-X
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO-X
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • 增益:10dB ~ 13.5dB
  • 功率 - 最大值:600mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80mA
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-SMD(35 micro-X)
  • 供应商器件封装:35 micro-X
  • 想获取AT-42035G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-42035G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款NPN射频双极晶体管,采用表面贴装封装。其核心优势在于高达8GHz的工作频率,以及在2GHz至4GHz频段内优异的低噪声系数(2dB~3dB典型值)与高增益(10dB~13.5dB)性能组合。

该器件提供12V的集射极击穿电压,最大集电极电流80mA,直流电流增益(hFE)最小值为30,确保了良好的线性放大能力。其紧凑的4-SMD(35 micro-X)封装和150°C的最大结温,使其适用于对空间和可靠性有要求的微波射频电路设计。

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