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AT-42086-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
原厂封装:封装:86 塑料
优势价格,AT-42086-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-42086-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频晶体管,AT-42086-TR1G采用了先进的NPN双极结型晶体管(BJT)架构。其核心设计旨在优化高频性能,集电极-发射极击穿电压(VCEO)最大值为12V,能够在高达8GHz的跃迁频率下稳定工作,这使其成为处理微波频段信号的理想选择。该器件采用紧凑的SOT-86塑料封装,支持表面贴装,便于集成到高密度的射频电路板设计中。

在功能表现上,该晶体管在2GHz至4GHz的常用频段内,提供了优异的噪声系数,典型值范围在1.9dB至3.5dB之间,这对于接收机前端放大等对信号纯净度要求极高的应用至关重要。同时,它提供了9dB至13dB的增益,确保了有效的信号放大能力。其最大集电极电流为80mA,在35mA、8V的典型工作点下,直流电流增益(hFE)最小值为30,展现了良好的线性与电流驱动特性。器件的最大功耗为500mW,结温(TJ)最高可支持至150°C,保证了在严苛环境下的可靠运行。

从接口与参数来看,AT-42086-TR1G的关键电气特性使其在射频链路中定位清晰。其低噪声、高增益的组合,特别适合作为低噪声放大器(LNA)或驱动级放大器。虽然该产品目前已处于停产状态,但其技术规格在特定领域仍具有参考和替代价值。对于需要此类高性能射频晶体管的工程师,可以通过专业的博通中国代理渠道咨询库存或功能相近的替代产品方案。

在应用场景方面,凭借8GHz的高频特性和优秀的噪声性能,该晶体管传统上广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站的前端接收电路、点对点射频链路以及各类测试测量设备中的放大模块。它也适用于卫星通信接收端、军用雷达系统等对器件高频性能和可靠性有严格要求的领域。其表面贴装形式适应了现代电子设备小型化、模块化的发展趋势。

  • 型号:AT-42086-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:86 塑料
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • 增益:9dB ~ 13dB
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80mA
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-86
  • 供应商器件封装:86 塑料
  • 想获取AT-42086-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-42086-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款NPN射频双极晶体管,采用SOT-86表面贴装封装。其核心优势在于高达8GHz的跃迁频率和优异的噪声性能,在2GHz至4GHz频段内噪声系数典型值低至1.9dB~3.5dB,同时提供9dB~13dB的增益,非常适合作为低噪声放大级。

该器件集电极-发射极击穿电压为12V,最大集电极电流80mA,最大功耗500mW,并支持最高150°C的结温工作条件,确保了在射频前端应用中的稳定性和可靠性。尽管目前已停产,但其技术参数在相关射频设计领域仍具参考意义。

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