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AT-64023的图片

AT-64023

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
原厂封装:封装:230 mil Be0
优势价格,AT-64023的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-64023的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

AT-64023是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的NPN型射频双极结型晶体管。该器件采用表面贴装型封装,其核心架构基于成熟的硅工艺,旨在为射频信号放大和振荡电路提供稳定可靠的性能。其设计重点在于在特定工作条件下实现功率、增益与线性度的平衡,适用于对空间和热管理有要求的紧凑型射频前端模块。

该晶体管的一个显著功能特点是其高达3W的射频输出功率能力,结合200mA的最大集电极电流,使其能够在中等功率水平的射频应用中稳定工作。其直流电流增益在110mA、8V的测试条件下最小值为20,这为电路设计提供了可预测的放大基础。尽管部分高频参数如跃迁频率和噪声系数未在标准参数表中明确标注,但其规格定位表明它适用于VHF至UHF频段范围内的放大应用。器件采用氧化铍陶瓷基板封装,封装尺寸为230密耳,这种材料具有优异的热导率,对于功率型射频晶体管至关重要,能有效将芯片产生的热量传导至PCB,确保在高达200°C的结温下可靠运行。

在接口与关键参数方面,AT-64023提供了关键的电气边界值。其集电极-发射极击穿电压最大值为20V,为设计者提供了明确的工作电压裕量。表面贴装的安装方式符合现代电子装配的自动化趋势,有利于提高生产效率和电路板的一致性。值得注意的是,该器件目前处于停产状态,这意味着在新设计中的选用需考虑供应链的延续性方案,通常可通过授权的博通代理商获取库存或替代产品信息。

基于其功率处理能力和封装特性,AT-64023典型的应用场景包括专业移动无线电、无线通信基础设施的驱动级放大器、以及各类需要稳定射频功率输出的发射机模块。其氧化铍封装尤其适合对散热要求苛刻的、空间受限的户外或工业环境设备。工程师在将其纳入设计时,需严格遵循其最大额定参数,并充分利用其封装的热性能优势进行充分的散热设计,以保障系统在预期寿命内的长期稳定性。

  • 型号:AT-64023
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:230 mil Be0
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):20V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率 - 最大值:3W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 110mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-SMD(230 密耳 BeO)
  • 供应商器件封装:230 mil Be0
  • 想获取AT-64023的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-64023是Broadcom(原安华高)推出的一款NPN射频功率晶体管,采用表面贴装型氧化铍陶瓷封装。其核心卖点在于能够提供高达3W的射频输出功率,并支持最高200°C的结温工作,适用于要求中等功率和良好散热性能的射频电路。

该器件在110mA、8V条件下具备最小值为20的直流电流增益,最大集电极电流为200mA,集射极击穿电压为20V,为射频放大应用提供了稳定的电气基础。其230密耳的氧化铍封装确保了优异的热管理能力,适合集成在空间紧凑、散热要求高的VHF/UHF频段通信设备中。

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