ATF-50189-TR1

作为一款专为射频前端设计的增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-pHEMT），ATF-50189-TR1采用了先进的半导体工艺，其核心架构旨在实现高增益、低噪声与高线性度的平衡。该器件在高达2GHz的工作频率下，依然能保持出色的信号放大能力，这得益于其优化的沟道设计和栅极结构，有效降低了寄生参数，提升了高频性能。其15.5dB的典型增益与仅1.1dB的噪声系数，使其在微弱信号放大场景中表现出色，能够显著提升接收链路的信噪比。

在功能特性上，该晶体管支持高达7V的额定工作电压，并在4.5V的典型测试电压下工作，展现出良好的电压适应性。其测试电流为280mA，额定电流可达1A，确保了在动态工作范围内的稳定输出。高达29dBm的输出功率能力，使其不仅能用于低噪声放大（LNA），也适用于需要一定功率驱动能力的场景，如驱动级放大或线性功率放大。其采用的TO-243AA（SOT-89）封装，具有良好的散热性能和紧凑的占板面积，便于在空间受限的射频模块中集成。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过博通中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

从接口与参数来看，该器件作为N沟道FET，其直流与射频参数均针对2GHz及以下频段进行了优化。低噪声系数与高增益的组合，使其特别适合作为接收机的前置放大器，以最小化系统整体噪声。同时，良好的线性度和输出功率能力，也使其能够应对有一定线性度要求的发射链路或增益模块应用。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量系统或对长期可靠性有要求的应用中仍具参考价值。

在应用场景方面，ATF-50189-TR1主要面向无线通信基础设施、如蜂窝基站（GSM, CDMA等）、无线局域网（WLAN）接入点、以及各类专业无线通信设备中的射频放大单元。其性能指标使其非常适合用于接收通道的低噪声放大器、发射通道的驱动放大器，或作为增益模块用于补偿系统链路损耗。在测试测量设备、卫星通信终端等对射频性能有苛刻要求的领域，其低噪声和高增益特性也能发挥重要作用。

• 型号:ATF-50189-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15.5dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1.1dB
• 电流 - 测试:280 mA
• 功率 - 输出:29dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89
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ATF-50189-TR1是安华高科技（现属博通）推出的一款E-pHEMT射频场效应晶体管，采用TO-243AA封装。该器件在2GHz频率下提供15.5dB的高增益和仅1.1dB的优异噪声系数，专为需要高灵敏度与低噪声放大的射频前端应用而设计。

其核心优势在于高线性度与功率输出能力，在4.5V工作电压下可实现高达29dBm的输出功率，同时支持7V的额定电压和1A的额定电流，确保了在宽动态范围内的稳定性能。这些特性使其非常适合用作无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、驱动放大器或通用增益模块。