ATF-50189-TR2

ATF-50189-TR2是安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的一款高性能增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-pHEMT）。该器件采用先进的半导体工艺，在射频前端设计中实现了优异的功率、效率和线性度平衡。其核心架构基于成熟的E-pHEMT技术，通过优化的材料结构和沟道设计，在2GHz及以下频段提供了卓越的射频性能，尤其适合对噪声和增益有严格要求的低噪声放大（LNA）及驱动级应用。

该芯片的功能特点突出体现在其低噪声系数（1.1dB）与高增益（15.5dB）的出色结合上，这使其在微弱信号放大场景中能有效提升系统灵敏度。同时，其输出功率可达29dBm，配合高达7V的额定工作电压和1A的额定电流能力，赋予了器件良好的功率处理能力和动态范围。在4.5V、280mA的典型测试条件下，器件能稳定工作，展现出E-pHEMT技术在高频下的高效率优势。对于需要可靠供应链与技术支持的用户，通过正规的博通一级代理进行采购，是获取正品器件与完整技术资料的重要途径。

ATF-50189-TR2采用标准的TO-243AA（SOT-89）封装，具有良好的散热性能和易于PCB布局的引脚设计，便于集成到紧凑的射频模块中。其接口参数针对射频应用进行了优化，在宽频带内保持稳定的阻抗特性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的技术指标和可靠性，使其在特定存量或延续性项目中仍具有参考和应用价值。

在应用场景方面，这款晶体管主要面向要求苛刻的无线通信基础设施，如蜂窝基站的前端LNA、无线中继器、以及各类2GHz附近的射频驱动放大器。其低噪声和高增益特性也使其适用于测试测量设备、卫星通信接收链路等对信号完整性有高要求的专业领域。工程师在设计时需参考其详细的S参数和偏置条件，以充分发挥其性能潜力。

• 型号:ATF-50189-TR2
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15.5dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1.1dB
• 电流 - 测试:280 mA
• 功率 - 输出:29dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89
• 想获取ATF-50189-TR2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ATF-50189-TR2是Broadcom（原安华高）生产的一款E-pHEMT射频场效应晶体管，采用SOT-89封装，专为2GHz及以下的高性能射频放大应用而设计。

该器件的核心优势在于其卓越的射频性能组合：在提供高达15.5dB增益的同时，噪声系数低至1.1dB，非常适合作为低噪声放大器（LNA）使用。此外，它具备29dBm的输出功率、7V的额定电压和1A的额定电流能力，确保了良好的线性度和功率处理能力。

在4.5V、280mA的典型工作条件下，ATF-50189-TR2能实现高效率的信号放大，主要应用于无线通信基础设施、射频驱动级及测试设备等对增益、噪声和输出功率有综合要求的场景。