ATF-501P8-TR2

ATF-501P8-TR2是一款基于赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺技术制造的微波单片集成电路（MMIC）。该器件采用先进的半导体架构，在砷化镓（GaAs）衬底上集成了高性能场效应晶体管（FET），其核心优势在于能够在微波频段提供卓越的功率增益与线性度。这种架构设计确保了在高达2GHz的工作频率下，信号放大过程具有极高的效率和稳定性，同时维持了紧凑的物理尺寸，封装于仅2mm x 2mm的8引脚LPCC封装内，非常适合高密度PCB布局。

该芯片在4.5V典型工作电压与280mA测试电流条件下，能够提供高达15dB的功率增益，这使其在信号链前端扮演着关键的低噪声放大角色。其噪声系数低至1dB，显著降低了系统引入的额外噪声，对于接收机灵敏度至关重要的应用而言是一个决定性优势。同时，输出功率能力达到29dBm，结合高达7V的额定电压和1A的额定电流承受能力，赋予了它出色的功率处理能力和动态范围，能够在驱动后级电路或应对信号峰值时保持稳定性能。用户在选择此类高性能射频器件时，通过博通授权代理渠道可以获得原厂技术支持与可靠的供应链保障。

在接口与参数方面，ATF-501P8-TR2的8-LPCC封装提供了标准化的射频输入/输出引脚布局，便于集成到微带线或共面波导传输线设计中。其电气参数经过优化，在宽频带内具有良好的阻抗匹配特性，有助于简化外围匹配电路设计，缩短开发周期。关键直流参数如测试电压与电流为评估其功耗和热管理需求提供了明确依据，而坚固的封装结构确保了在恶劣环境下的长期可靠性。

基于其高增益、低噪声和高输出功率的综合特性，ATF-501P8-TR2非常适合应用于对性能有苛刻要求的无线通信基础设施，例如蜂窝基站（如LTE、5G）的接收前端放大、点对点微波无线电链路以及卫星通信终端。此外，在测试与测量设备、军用电子系统以及各类需要高性能微波放成的工业传感领域，它也能作为核心放大元件，提升整个系统的信噪比和链路预算。

• 型号:ATF-501P8-TR2
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1dB
• 电流 - 测试:280 mA
• 功率 - 输出:29dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• 想获取ATF-501P8-TR2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ATF-501P8-TR2是安华高科技（现属Broadcom博通）推出的一款pHEMT FET微波单片集成电路。该器件在2GHz频率下，于4.5V/280mA的测试条件下，可提供高达15dB的增益和29dBm的输出功率，同时保持仅1dB的优异噪声系数。

其核心卖点在于结合了高增益、高线性输出与极低噪声系数于一体，额定电压达7V，电流1A，确保了强大的驱动能力和可靠性。采用紧凑的8-LPCC（2x2）封装，使其成为要求高密度布局和卓越射频性能的无线通信前端、测试设备及微波链路等应用的理想选择。