ATF-55143-TR2G

ATF-55143-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-pHEMT），采用紧凑的SOT-343（SC-82A）封装。该器件基于先进的E-pHEMT半导体工艺构建，其核心架构旨在优化射频信号的低噪声放大与功率处理能力。通过精心的材料工程与结构设计，该晶体管在栅极控制、载流子迁移率以及高频特性之间取得了出色的平衡，为2GHz及以下频段的射频前端电路提供了一个高性能的解决方案。

该芯片在2.7V测试电压和10mA测试电流的典型工作条件下，展现出卓越的射频性能。其0.6dB的极低噪声系数与17.7dB的高增益特性尤为突出，这使得它在放大微弱射频信号时，能最大程度地抑制系统噪声的引入，显著提升接收机的灵敏度。同时，器件具备14.4dBm的功率输出能力，确保了在驱动后续级电路时有足够的信号强度。其额定工作电压为5V，最大额定电流为100mA，提供了稳定的工作范围和良好的线性度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过博通中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，ATF-55143-TR2G采用标准的四引脚SOT-343表面贴装封装，便于集成到高密度的PCB布局中。其优化的引脚排布有助于减少寄生参数，确保高频性能的稳定。除了核心的增益、噪声和功率参数，其E-pHEMT技术也带来了良好的温度稳定性和一致的批次间性能，这对于大规模生产应用至关重要。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能指标，使其在特定存量或延续性项目中仍具有重要参考价值。

该晶体管典型的应用场景集中在需要高性能、低噪声射频放大的领域。例如，在2GHz以下的无线通信基础设施中，如基站的低噪声放大器（LNA）级、无线局域网（WLAN）接入点、以及各类射频测试设备的前端。其优异的噪声和增益组合也使其适用于卫星通信接收机、GPS模块以及专业的射频仪器仪表，在这些对信号纯净度和放大效率要求苛刻的场合，ATF-55143-TR2G能够有效提升整个信号链路的性能表现。

• 型号:ATF-55143-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2.7V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17.7dB
• 电压 - 测试:2.7 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:14.4dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• 想获取ATF-55143-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ATF-55143-TR2G是Broadcom（原安华高）推出的一款采用E-pHEMT技术的射频场效应晶体管，封装形式为SOT-343。该器件针对2GHz及以下频段的低噪声放大应用进行了优化，在2.7V/10mA的典型工作点下，能提供高达17.7dB的增益和仅为0.6dB的优异噪声系数，显著提升接收链路的信噪比。

同时，它支持最高5V的工作电压，并能提供14.4dBm的功率输出，确保了良好的线性度和驱动能力。其紧凑的封装适合高密度电路板设计，主要应用于无线通信基础设施、WLAN设备、GPS接收机等对射频性能要求较高的前端放大电路。