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BROADCOM
HSCH-5312的图片

HSCH-5312

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 4V 150MW 07
原厂封装:封装:07
优势价格,HSCH-5312的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSCH-5312的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

在射频与微波应用领域,肖特基二极管因其快速开关特性和低正向压降而占据重要地位。HSCH-5312是安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的一款高性能梁式引线肖特基二极管,专为要求苛刻的高频电路设计。其核心架构采用了先进的金属-半导体结工艺,通过优化的半导体材料和精密的梁式引线封装结构,实现了在高达500V峰值反向电压下的稳定工作,同时最大限度地减少了寄生参数对高频性能的影响。

该器件的显著功能特点在于其卓越的射频性能。作为一款梁式引线器件,它提供了极低的封装寄生电感和电容,这对于维持GHz频段信号的完整性至关重要。其肖特基结设计确保了极快的开关速度与低噪声特性,使其在混频、检波、采样等非线性电路中表现出色。尽管部分具体动态参数如特定条件下的结电容和串联电阻未在基础规格中详列,但其500V的高反向耐压与梁式引线设计本身,已明确指向了高功率密度和高频应用场景,为电路设计师提供了在高电压摆幅下仍能保持优异高频响应的可靠选择。

在接口与关键参数方面,HSCH-5312定义了明确的应用边界。其核心参数500V的峰值反向电压是评估其耐受能力和适用场景的首要指标。梁式引线封装形式不仅便于微波集成电路(MIC)的共晶焊或环氧树脂粘接安装,也直接关联到其最终在高频下的阻抗匹配与损耗表现。虽然该产品目前已处于停产状态,但其技术规格仍为同类替代品的设计与选型提供了重要参考。对于需要获取此类高性能射频二极管或技术支持的工程师,通过正规的博通代理商进行咨询是确保元器件来源可靠性和获取完整技术档案的有效途径。

考虑到其技术特性,HSCH-5312典型的应用场景集中于专业的微波通信与雷达系统。它非常适合用于X波段乃至更高频率的平衡混频器、检波器以及限幅器中,作为核心非线性元件。在测试与测量设备,如频谱分析仪和网络分析仪的信号路径中,也能发挥其高速、低损耗的优势。此外,在需要高电压处理能力的射频开关或脉冲调制电路中,其高反向击穿电压特性提供了必要的安全裕度。这款器件代表了在特定技术时期,为满足高端射频系统对性能与可靠性严苛要求而推出的专业化解决方案。

  • 型号:HSCH-5312
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:07
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V 150MW 07
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):4V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.15pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:16 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):150 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:2-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:07
  • 想获取HSCH-5312的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSCH-5312是Broadcom(原安华高科技)生产的一款梁式引线肖特基二极管,属于射频二极管系列。其核心规格为500V的峰值反向电压,这一参数使其能够适用于存在较高电压摆幅的高频电路环境。

该器件的关键卖点在于其梁式引线封装形式,这种设计旨在最小化封装引入的寄生电感和电容,从而优化其在微波频段(如X波段及以上)的电气性能。它主要面向高频应用,如混频器、检波器和高速开关电路,为系统提供快速开关和低噪声的非线性处理能力。

需要注意的是,此型号目前已停产。其技术参数为射频电路设计,特别是在高电压、高频场景下的二极管选型,提供了明确的技术指向和性能基准。

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