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HSMP-3816-TR2G的图片

HSMP-3816-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-25-5
原厂封装:封装:SOT-25-5
优势价格,HSMP-3816-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3816-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-3816-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-753(SC-74A)封装。该器件内部集成了两对共阳极(CA)与共阴极(CC)结构的PIN二极管,这种架构使其能够在一个微型封装内实现复杂的射频开关或衰减功能,特别适用于空间受限的高频电路设计。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻,在50V反向偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为0.35pF,而在100mA正向电流和100MHz条件下,串联电阻低至3欧姆,这确保了其在射频路径中引入的损耗和失真极小。

该芯片的功能特点突出表现在其高频性能与高功率处理能力上。高达100V的峰值反向电压1A的最大正向电流使其能够耐受较高的射频功率电平,提升了系统的动态范围和可靠性。其工作结温高达150°C,增强了在高温环境下的稳定性。尽管该系列产品目前已处于停产状态,但其设计规格在特定存量应用或替代选型中仍具有重要参考价值。对于需要此类高性能射频开关或调制器件的项目,通过专业的博通中国代理渠道进行咨询,是获取技术支持和可靠供应链的关键。

在接口与参数层面,HSMP-3816-TR2G的五个引脚(SOT-25-5)为两对独立的PIN二极管提供了灵活的连接方式,工程师可以将其配置为串联、并联或桥式结构,以满足不同的电路拓扑需求。其优异的电容-电压(C-V)特性与电阻-电流(R-I)特性,使其在从高频到甚高频(VHF)乃至部分超高频(UHF)频段都能保持稳定的性能。这些参数共同定义了其在射频信号路径中的核心作用作为一个高速、低损耗的电子控制元件。

典型的应用场景包括蜂窝通信基站、军用无线电、测试测量仪器中的射频开关矩阵,以及需要快速电调衰减或相位调制的电路。它在天线调谐网络、可编程滤波器以及高线性度接收机的前端保护电路中也能发挥重要作用。其微型封装尤其适合高密度集成的微波模块和手持设备中的射频前端设计,尽管已停产,但其技术指标仍是评估同类射频二极管性能的一个可靠基准。

  • 型号:HSMP-3816-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-25-5
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-25-5
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 2 对 CA + CC
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装:SOT-25-5
  • 想获取HSMP-3816-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3816-TR2G是博通(原安华高)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-753微型封装。其核心价值在于为高频电路设计提供了极低的寄生参数与高功率处理能力。

该器件在50V偏压下的典型结电容低至0.35pF,在100mA正向电流下的串联电阻仅为3欧姆,这使其在高达100MHz及以上的工作频率下能实现极低的插入损耗和优异的信号完整性。同时,其100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流额定值,确保了在严苛射频环境下的可靠性与高线性度操作。

凭借其内部集成的两对共阳/共阴PIN二极管结构,该芯片非常适合用于构建紧凑型射频开关、衰减器或调制器,广泛应用于通信基础设施、测试仪器及高性能射频系统中。

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