HSMP-381C-TR1G

HSMP-381C-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用串联对管架构，封装于紧凑的SC-70（SOT-323）贴片封装中。该器件专为高频信号控制与处理电路而优化，其核心在于利用PIN结构在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗且电容极低的特性，实现对射频信号路径的高效切换、衰减或调制。

该芯片在射频性能上表现出色，其关键参数定义了其在电路中的核心能力。在反向偏置50V、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.35pF，这一极低的电容值确保了在高频乃至微波频段下，二极管对信号通路的插入损耗和相位影响降至最低，保持了信号完整性。同时，在正向偏置100mA、100MHz条件下，其串联电阻仅为3欧姆，这为其在导通状态下提供了优异的低插入损耗特性。结合高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，使其能够承受较高的射频功率和瞬态冲击，具备良好的鲁棒性。其工作结温高达150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与物理特性方面，HSMP-381C-TR1G采用标准的三引脚SOT-323封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其内部为串联对管结构，这种设计在构建单刀单掷（SPST）开关或衰减器时，能提供更高的隔离度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理渠道进行咨询与采购。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时需评估替代方案或库存可用性。

基于其技术特性，HSMP-381C-TR1G非常适合应用于需要高性能射频开关、可调衰减器以及限幅器的场合。典型应用领域包括蜂窝基站、无线通信基础设施、测试与测量设备中的信号路径选择，以及雷达系统中的收发切换模块。其优异的电容与电阻参数组合，使其在L波段至S波段（约1-4GHz）的应用中能保持卓越的性能，是实现高线性度、低失真射频前端控制功能的关键元器件之一。

• 型号:HSMP-381C-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 1 对串联
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMP-381C-TR1G是博通旗下的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-323封装，内部集成串联对管结构。其核心价值在于为高频电路设计提供了优异的开关与调制性能基础。

该器件的技术优势突出体现在其射频特性上：在50V反偏压下的极低结电容（0.35pF @ 1MHz）确保了在高频应用中的低损耗与高隔离度；同时在100mA正向电流下仅3欧姆的串联电阻，保证了信号路径在导通状态下的高效率。高达100V的峰值反向电压和150°C的工作结温，进一步增强了其在严苛射频环境下的可靠性。