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HSMP-381E-BLKG的图片

HSMP-381E-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-381E-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-381E-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,HSMP-381E-BLKG采用了先进的半导体工艺,其核心架构基于一对共阳极配置的PIN结。这种结构在射频信号路径中扮演着关键角色,其本征层(I层)在正向偏置下可存储电荷,从而实现快速开关和低失真调制;在零偏或反偏状态下,则呈现出可变的结电容特性,适用于射频信号的衰减与切换。该器件优异的性能使其在复杂的射频前端设计中成为可靠的选择,用户可通过专业的博通芯片代理获取详细的技术支持与供应链服务。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能与可靠性上。在1MHz测试频率、50V反向偏压条件下,其结电容典型值低至0.35pF,这一特性对于维持高频电路的阻抗匹配、减少信号损耗至关重要。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻仅为3欧姆,确保了在开关或调制状态下的低插入损耗和高线性度。其峰值反向电压高达100V,最大正向电流为1A,结合150°C的最高结温,赋予了器件强大的鲁棒性,能够适应苛刻的工作环境与瞬态条件。

在接口与参数方面,HSMP-381E-BLKG采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装,非常适合高密度PCB布局。其电参数经过精心优化,在宽频带内提供了良好的性能一致性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过市场验证的性能指标,使其在现有系统的维护、备件供应或特定设计继承中仍具有重要参考价值。工程师在选用时需综合考虑其可用性与替代方案。

该器件的典型应用场景覆盖了广泛的射频系统工程领域。它常被用于蜂窝基站、微波通信链路中的射频开关矩阵,实现信号在多通道间的快速、低损耗切换。在可调衰减器、增益控制电路以及雷达系统的脉冲调制器中,其可变的电阻特性被用于精确控制信号幅度。此外,在测试测量设备如矢量网络分析仪的信号路径中,以及一些专业的无线通信模块里,也能发现其作为关键控制元件的身影,为系统提供稳定且高效的射频信号处理能力。

  • 型号:HSMP-381E-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-381E-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-381E-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频PIN二极管,采用SOT-323封装。其核心卖点在于优异的高频特性与稳健的电气性能,典型结电容低至0.35pF @ 50V, 1MHz,串联电阻仅为3欧姆 @ 100mA, 100MHz,这为射频电路提供了出色的信号完整性与低插入损耗。

该器件设计用于要求严苛的射频控制应用,其100V的峰值反向电压和1A的最大电流能力确保了在高功率环境下的可靠性。最高工作结温达150°C,进一步拓宽了其环境适应性。尽管目前已停产,但其参数组合在射频开关、衰减及调制电路中仍具参考价值。

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