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HSMP-381F-BLKG的图片

HSMP-381F-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-381F-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-381F-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的HSMP-381F-BLKG是一款采用SOT-323(SC-70)微型封装的射频PIN二极管,其核心架构为一对共阴极配置的PIN结。这种设计使其在单一紧凑封装内实现了双二极管功能,特别适合于需要对称开关或衰减控制的电路布局。器件基于成熟的PIN半导体工艺,通过在重掺杂的P型和N型区域之间引入本征(I)区,实现了在高频条件下优异的可控阻抗特性与快速开关响应。

该器件的功能特点突出表现在其射频性能上。在反向偏置50V、1MHz测试条件下,其结电容典型值低至0.35pF,这一极低的寄生电容确保了在高频乃至微波频段信号路径中的插入损耗最小化,对系统整体增益和噪声系数的负面影响极低。同时,在正向偏置100mA、100MHz条件下,其串联电阻仅为3欧姆,提供了出色的导通状态低损耗特性。结合高达100V的峰值反向电压与1A的最大正向电流能力,HSMP-381F-BLKG在保证高功率处理能力的同时,维持了宽动态范围下的线性度。

在接口与参数方面,该器件采用行业标准的SOT-323三引脚封装,便于自动化贴装并节省PCB空间。其工作结温高达150°C,确保了在严苛环境或高功率密度应用中的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计代表了射频开关与衰减器应用中的一个经典高性能解决方案。对于仍有设计需求或维护需求的客户,可以通过可靠的博通芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

基于上述特性,HSMP-381F-BLKG的传统应用场景主要集中在需要高性能射频信号控制的领域。它非常适合用于蜂窝基站、微波中继系统中的收发(T/R)开关,能够高效地隔离发射与接收通道。在可调衰减器、相位移相器以及高频信号路由选择电路中,其快速切换与低损耗特性也能显著提升系统性能。此外,在测试测量设备,如矢量网络分析仪的信号路径切换模块中,此类低电容、低电阻的PIN二极管也是实现高精度测量的关键元件之一。

  • 型号:HSMP-381F-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-381F-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-381F-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频PIN二极管,采用SOT-323微型封装,内部集成一对共阴极二极管。其核心优势在于卓越的高频性能,在50V反向偏压下的结电容低至0.35pF,有效最小化了高频应用中的信号损耗。

该器件同时具备100V的高峰值反向电压和1A的最大正向电流处理能力,结合在100mA正向电流下仅3欧姆的串联电阻,为射频开关和衰减器应用提供了宽动态范围与低插入损耗的关键特性。其150°C的最高工作结温进一步保障了在高温环境下的稳定运行。

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