HSMP-3823-TR1G

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-3823-TR1G采用了一对共阳极的集成架构。这种独特的内部结构将两个PIN二极管单元集成在一个微小的封装内，共享一个阳极引脚，为射频开关、衰减器以及限幅器电路提供了紧凑且对称的解决方案。其核心优势在于通过精密的半导体工艺，实现了在射频信号路径中快速、低损耗的阻抗切换与控制。

该器件在射频性能上表现突出，其典型结电容低至0.8pF（条件为20V反向偏压，1MHz），这一特性对于维持高频信号路径的完整性至关重要，能有效减少对信号带宽和相位线性的影响。同时，在正向偏置下，它展现出极低的串联电阻，典型值为600毫欧（条件为10mA正向电流，100MHz），这确保了在“导通”状态下具有很低的插入损耗，提升了整个射频前端的效率。其峰值反向电压高达50V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的设计余量和可靠的保护能力。

在接口与封装方面，HSMP-3823-TR1G采用了行业标准的SOT-23-3（也称为TO-236-3或SC-59）表面贴装封装。这种小型化封装非常适合高密度PCB布局，满足了现代无线设备对空间日益严苛的要求。其工作结温高达150°C，确保了在高温环境或高功率应用下的稳定性和长寿命。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值，用户可通过可靠的博通授权代理渠道获取原装正品，以保障供应链安全与产品性能的一致性。

基于其优异的射频开关与调制特性，该芯片广泛应用于需要快速、精确控制射频信号路径的场合。典型应用包括蜂窝基站、微波通信系统中的收发（T/R）开关，实现天线在接收与发射模式间的无缝切换；在可调衰减器和电压控制衰减器（VCA）中，作为核心可变电阻元件；此外，也常用于射频信号限幅保护、移相器以及测试测量设备中的精密信号路由。其平衡的共阳极设计尤其适合需要良好端口隔离和对称性的差分或平衡电路架构。

• 型号:HSMP-3823-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
• 电压 - 峰值反向（最大值）:50V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.8pF @ 20V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMP-3823-TR1G是一款高性能射频PIN二极管，采用一对共阳极的集成设计，封装于紧凑的SOT-23-3中。其核心电气参数针对射频控制应用进行了优化，在20V反向偏压和1MHz条件下，典型结电容仅为0.8pF，有效降低了高频下的信号损耗与失真；在10mA正向偏置和100MHz条件下，串联电阻低至600毫欧，确保了开关在导通状态下的低插入损耗。

该器件支持高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流，结合150°C的最高工作结温，提供了稳健的电气性能与可靠性。这些特性使其成为实现低损耗、高速射频开关、可调衰减器以及信号限幅功能的理想选择，适用于从通信基础设施到测试仪器等多种要求严苛的射频系统设计。