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HSMP-3830-BLKG的图片

HSMP-3830-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3830-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3830-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-3830-BLKG是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管。该器件采用经典的PIN结构,其核心在于一个高电阻率的本征(I)区夹在P型和N型半导体区域之间,这种架构使其在射频和微波频段展现出优异的性能。其本征区在零偏或反偏时呈现高阻抗,而在正向偏置时,注入的载流子能显著降低电阻,从而实现从高阻抗到低阻抗的快速、可控切换,这一特性是其在射频开关、衰减器及调制电路中得以广泛应用的基础。

该二极管具备多项突出的功能特性。其反向峰值电压高达200V,提供了良好的耐压裕量,增强了在高压摆幅射频环境下的可靠性。在50V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为0.3pF,极低的寄生电容确保了在高频应用中的优异隔离度和低插入损耗。同时,在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻低至1.5欧姆,这有助于降低导通状态下的损耗,提升系统效率。器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装,最大功耗为250mW,结温最高可支持150°C,适合高密度PCB布局及要求一定环境适应性的应用场景。

在接口与参数层面,HSMP-3830-BLKG作为单PIN二极管,其电气接口简洁,典型应用电路易于设计。其关键直流与射频参数,如1A的最大正向电流、低至0.3pF的电容以及1.5欧姆的串联电阻,共同定义了一个性能均衡的射频开关元件。这些参数使其能够在从高频到甚高频乃至部分微波频段内,稳定地执行信号路由、功率衰减及调制功能。对于需要获取原厂技术资料或正品供应的用户,可以通过官方博通授权代理渠道进行咨询。

基于其技术规格,HSMP-3830-BLKG非常适合应用于对频率响应和功率处理能力有特定要求的领域。典型应用包括蜂窝通信基站、无线基础设施中的射频开关矩阵,用于信号路径的选择与隔离;在测试测量设备中,可用于构建可编程衰减器;此外,在电视调谐器、军用通信系统以及需要快速射频调制的场合也能找到其用武之地。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定设计延续中,它仍是一个具有参考价值的高性能元器件选项。

  • 型号:HSMP-3830-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):200V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3830-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3830-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-23-3封装。其核心设计旨在为射频信号路径控制提供高效的解决方案。

该器件关键参数均衡且突出:提供200V的高反向峰值电压以确保鲁棒性;在1MHz下仅0.3pF的极低结电容,保障了优异的高频隔离特性;同时,在100MHz下1.5欧姆的低串联电阻有效降低了导通损耗。最大功耗250mW,结温可达150°C,适合紧凑型、高可靠性的射频电路设计。

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