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HSMP-3833-BLKG的图片

HSMP-3833-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3833-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3833-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-3833-BLKG是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件采用一对共阳极配置的PIN结构,这种架构在射频信号路径中提供了优异的线性度和可控的阻抗特性。其核心在于本征(I)层的设计,能够在正向偏置时存储电荷,从而实现快速开关和低失真调制,而在反向偏置时,则呈现出极低的结电容,使其非常适合高频应用中的信号切换与衰减。

该二极管的关键性能体现在其射频参数上。在反向偏置条件下,其结电容典型值低至0.3pF @ 50V,1MHz,这确保了在高频段(如UHF及以上)信号路径中引入的容性负载极小,有助于维持系统带宽和信号完整性。在正向偏置时,其串联电阻典型值为1.5欧姆 @ 100mA,100MHz,较低的导通电阻意味着更低的插入损耗,这对于需要高效信号通路的开关和衰减器设计至关重要。此外,其200V的峰值反向电压150°C的最高结温提供了宽裕的工作安全裕度。

在接口与参数方面,HSMP-3833-BLKG采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,便于自动化生产并节省电路板空间。其最大功耗为250mW,最大正向电流为1A,这些参数定义了其适用的功率等级。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定领域仍有应用价值。对于需要寻找替代方案或库存支持的工程师,可以咨询专业的Broadcom代理商以获取相关支持。

基于其技术特性,HSMP-3833-BLKG主要面向需要高性能射频控制的场景。它常被用于通信基础设施,如基站中的射频开关矩阵和可编程衰减器,以实现信号路由和功率电平的精确控制。在测试与测量设备中,它可用于构建宽带信号切换模块。此外,在军用通信、卫星通信终端等对线性度和可靠性要求极高的系统中,此类低电容、快速响应的PIN二极管也是关键元件之一。

  • 型号:HSMP-3833-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):200V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3833-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3833-BLKG是一款射频PIN二极管,采用一对共阳极配置和SOT-23-3封装。其核心优势在于优异的射频性能组合:在50V反向偏压和1MHz条件下,结电容低至0.3pF,确保了高频应用中的低信号损耗;在100mA正向电流和100MHz条件下,串联电阻仅为1.5欧姆,提供了高效的信号通路。

该器件具备200V的峰值反向电压和150°C的最高工作结温,提供了稳健的电气与热性能边界。这些特性使其非常适用于设计高性能射频开关、衰减器以及需要快速信号调制与控制的电路,主要面向通信基础设施、测试仪器等专业领域。

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