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HSMP-3862-TR1的图片

HSMP-3862-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3862-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3862-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频二极管,HSMP-3862-TR1采用了独特的串联PIN二极管对架构。这种结构将两个PIN二极管单元集成在单一芯片上并串联连接,为射频信号控制提供了对称且平衡的电气路径,特别适用于需要高隔离度或精确衰减的电路设计。其核心半导体材料与结型设计,确保了在射频及微波频段内,能够实现快速、低损耗的开关与调制功能。

该器件在功能上表现出色,其关键特性在于极低的寄生参数。在50V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为0.2pF,这一特性显著降低了高频信号路径中的容性负载,有助于维持系统带宽和信号完整性。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻低至1.5欧姆,这直接转化为更低的插入损耗和更高的功率处理能力,对于提升射频前端的效率至关重要。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,结合150°C的最高结温,赋予了其在严苛环境下的可靠工作能力。

在接口与参数方面,HSMP-3862-TR1采用了行业标准的SOT-23-3表面贴装封装(亦称为TO-236-3或SC-59),这种紧凑的封装形式非常适合于高密度PCB布局,满足了现代便携式与小型化通信设备的设计需求。其电气参数,如低电容、低电阻与高击穿电压的组合,定义了一个清晰的应用边界,工程师可以依据这些参数精确地将该器件集成到天线开关矩阵、可调衰减器、限幅器或高速调制电路中。

基于上述技术特点,该芯片典型应用于蜂窝基站、无线基础设施、测试与测量设备以及军用通信系统中的射频信号路径控制。它能够高效地执行信号切换、衰减调制和脉冲整形等任务。尽管该产品目前已处于停产状态,但对于特定存量设备维护或既有设计参考仍具价值。在需要获取此类原厂品质的博通(Broadcom)射频元件时,通过正规的博通授权代理渠道进行咨询与采购,是确保元器件可靠性与技术支援的关键。

  • 型号:HSMP-3862-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3862-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3862-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款串联PIN二极管对,采用SOT-23-3封装,专为射频控制应用而优化。其核心优势在于极低的寄生参数,在50V/1MHz条件下结电容仅0.2pF,在100mA/100MHz条件下串联电阻为1.5欧姆,这确保了在高频工作状态下具有优异的信号完整性与低插入损耗。

该器件具备50V的峰值反向电压和1A的最大电流处理能力,最高结温达150°C,提供了宽泛的工作裕度和可靠性。这些特性使其非常适用于需要快速切换、高隔离度或精确衰减的射频电路,例如天线开关、可调衰减器及调制器等关键部位,是无线通信基础设施和高端测试设备中的经典射频控制解决方案。

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