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HSMP-3863-TR1G的图片

HSMP-3863-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMP-3863-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3863-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,HSMP-3863-TR1G采用了独特的共阳极对管架构。其内部集成了一对PIN二极管,两个二极管的阳极在芯片内部相连,构成一个紧凑的对称结构。这种设计使其在射频开关和衰减器电路中,能够实现优异的对称性和匹配性,简化了外部偏置电路的设计,特别适合需要高隔离度和低插入损耗的平衡式拓扑。

该器件的核心功能特性体现在其卓越的射频性能上。在零偏压或反向偏压下,其结电容极低,典型值仅为0.2pF @ 50V,1MHz,这确保了在关断状态下具有极高的隔离度,有效减少了信号泄漏。在正向偏置导通时,其串联电阻典型值为1.5欧姆 @ 100mA,100MHz,带来了极低的插入损耗,这对于维持系统链路预算至关重要。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,提供了宽裕的功率处理和安全工作范围。此外,其最高结温可达150°C,增强了在高温环境下的可靠性。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的用户,可以咨询专业的博通中国代理

在接口与封装方面,HSMP-3863-TR1G采用了微型化的6引脚TSSOP(SC-88,SOT-363)封装。这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间,非常适合于高密度集成的现代通信设备,其微小的引脚寄生参数也有助于维持高频性能。其引脚配置为内部集成的两个PIN二极管提供了独立的阴极引出端和共用的阳极端,便于灵活接入各种射频电路。

基于上述技术特点,该器件主要面向对性能有苛刻要求的射频应用场景。它是蜂窝基站、微波中继设备中射频开关矩阵和可编程衰减器的理想选择,能够实现快速、低损耗的信号路由与功率控制。在测试与测量领域,如矢量网络分析仪和信号发生器中,可用于构建精密的校准电路和内部开关网络。此外,在卫星通信、点对点无线电以及高性能雷达系统中,其高隔离度和低损耗特性也使其成为关键的控制元件。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应中,其经典设计依然具有重要的参考和应用价值。

  • 型号:HSMP-3863-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMP-3863-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3863-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管对管,采用SOT-363微型封装。其核心优势在于集成了共阳极的一对二极管,提供优异的对称性,简化了平衡电路设计。

该器件在射频关键参数上表现突出:在50V反向偏压及1MHz条件下,结电容低至0.2pF,确保了高关断隔离度;在100mA正向电流及100MHz条件下,串联电阻仅为1.5欧姆,实现了低导通插入损耗。其50V的峰值反向电压和1A的最大电流能力,提供了稳健的功率处理性能。

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