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HSMP-3863-TR2G的图片

HSMP-3863-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMP-3863-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3863-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频二极管,HSMP-3863-TR2G采用了先进的PIN二极管结构,其核心架构为一对共阳极配置的PIN结。这种设计允许器件在射频信号路径中实现高效的开关与衰减功能,其内部结构经过优化,旨在最小化寄生参数,从而确保在高频应用中的性能稳定性。该器件在反向偏置时呈现极低的结电容,而在正向偏置时则提供可控的低电阻状态,这是实现快速、低损耗射频控制的关键。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的射频性能上。在50V反向电压和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至0.2pF,这一特性使其在需要高隔离度的射频开关电路中表现出色,能有效减少信号泄漏。同时,在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻仅为1.5欧姆,确保了在导通状态下具有较低的插入损耗,这对于维持整个射频链路的信号完整性至关重要。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,提供了宽裕的工作裕量。工程师在选型时,可通过专业的博通代理商获取详细的技术支持与供货信息。

在接口与参数方面,HSMP-3863-TR2G采用紧凑的6引脚TSSOP(SC-88,SOT-363)封装,非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C,确保了在严苛环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的性能指标使其在现有系统和备件供应中仍具参考价值。其低电容与低电阻的组合参数,定义了它在特定频段内的优异开关比和线性度。

该芯片典型的应用场景集中在需要精密射频信号控制的领域。例如,在蜂窝通信基站、军用雷达系统的收发(T/R)模块中,可用于天线切换与通道选择。在测试测量设备如矢量网络分析仪中,它能实现精密的步进衰减器功能。此外,在有线电视(CATV)信号分配和高频仪器仪表中,也常用于信号的调制、调谐与保护电路。其性能参数使其特别适用于VHF至较低微波频段的电路设计。

  • 型号:HSMP-3863-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMP-3863-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3863-TR2G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频PIN二极管,采用一对共阳极的SOT-363封装。其核心价值在于为射频控制电路提供了优异的性能组合。

该器件在50V反向偏置下仅产生0.2pF的极低结电容,确保了高频信号下的高隔离度。同时,在100mA正向偏置时,其串联电阻低至1.5欧姆,有效降低了导通状态的插入损耗。高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流能力,为其在射频开关、衰减及调制应用中提供了可靠的工作范围。

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