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HSMP-3864-TR1的图片

HSMP-3864-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3864-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3864-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-3864-TR1是安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了一对共阴极结构的PIN二极管,其核心架构基于PIN(P型-本征-N型)半导体结构,这种结构在射频和微波频段展现出优异的可控阻抗特性。本征层的存在使得器件在正向偏置时表现为一个低值电阻,而在反向偏置时则表现为一个由结电容主导的几乎恒定的电容值,这一特性是其实现高速射频开关、衰减及调制功能的基础。

该二极管的功能特点突出体现在其射频性能上。在50V反向偏压和1MHz测试条件下,其结电容低至0.2pF,这一极低的电容值确保了在高频应用中的优异隔离度,能有效减少信号泄漏。在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻仅为1.5欧姆,这带来了较低的插入损耗,有助于维持系统链路的信号完整性。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,赋予了器件良好的鲁棒性和可靠性,能够适应较为严苛的射频环境。对于需要稳定供应链的客户,可以通过博通一级代理获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数方面,该器件采用标准的TO-236-3(SC-59,SOT-23-3)三引脚表面贴装封装,便于集成到高密度的PCB设计中。其电气参数,特别是电容和电阻随电压、电流及频率变化的特性,是射频电路设计师进行精确匹配和仿真的关键依据。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能指标,使其在众多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。

基于其技术特性,HSMP-3864-TR1非常适合应用于需要快速切换和精确信号控制的射频前端模块。典型应用场景包括蜂窝基站、无线通信设备中的收发(T/R)开关,实现天线在发射与接收模式间的切换;也可用于可调衰减器电路,通过控制偏置电流来连续调节信号幅度;此外,在CATV系统、测试仪器仪表以及相位调制器中,它也能发挥关键作用,实现对射频信号路径的高效控制与管理。

  • 型号:HSMP-3864-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3864-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3864-TR1是Broadcom(原Avago)生产的一款射频PIN二极管,采用SOT-23-3封装,内部集成一对共阴极二极管。其核心价值在于为射频信号路径控制提供了高性能的半导体解决方案。

该器件的关键电气参数定义了其卓越的射频性能:在50V反向电压下结电容低至0.2pF,确保了高频下的高隔离度;在100mA正向电流下串联电阻仅为1.5欧姆,实现了较低的插入损耗。结合50V的峰值反向电压和1A的最大电流能力,使其能够胜任要求严苛的射频开关、衰减及调制应用。

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