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HSMP-386C-BLKG的图片

HSMP-386C-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-386C-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-386C-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的HSMP-386C-BLKG是一款采用串联对结构的PIN二极管,专为射频信号路径控制与调制应用而设计。其核心架构基于高性能半导体工艺,将两个PIN二极管单元以串联形式集成于单一芯片上,这种设计有效优化了高频下的阻抗特性,为射频开关和衰减器电路提供了对称且一致的控制性能。器件在零偏置或反向偏置状态下呈现出极低的结电容,而在正向偏置时则能提供低电阻通路,这种显著的非线性特性是其实现射频信号高效切换与调制的物理基础。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的射频性能参数上。在50V反向电压、1MHz测试条件下,其典型结电容值低至0.2pF,这一特性确保了在VHF至微波频段内,二极管在关断状态下的射频信号泄漏极小,从而带来优异的隔离度。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻典型值仅为1.5欧姆,这保证了在导通状态下具有很低的插入损耗,有助于维持系统整体的信号完整性。高达50V的峰值反向电压和150°C的最大结温,赋予了其良好的耐压与高温工作可靠性。

在接口与封装方面,HSMP-386C-BLKG采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间,非常适合于高密度集成的现代射频模块,其良好的封装寄生参数也利于高频性能的发挥。工程师在采购时,可通过正规的Broadcom代理商获取该器件,以确保产品的原装正品与供货链的可靠性。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计选型时应考虑其替代方案或库存情况。

基于上述技术特性,该芯片广泛应用于需要快速、可靠控制射频信号路径的场景。典型应用包括蜂窝通信基站、微波中继系统中的收发切换(T/R Switch)与步进衰减器;在测试与测量设备中,可用于构建程控射频开关矩阵;此外,在CATV线路放大器、军用电子对抗(ECM)系统的信号调制模块中也能见到其身影。其串联对结构特别适合于需要高功率处理能力或对称电路设计的平衡式架构,为射频前端设计提供了关键的单片化解决方案。

  • 型号:HSMP-386C-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-386C-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-386C-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频PIN二极管,采用串联对结构集成于SOT-323封装内。其核心价值在于为高频开关与衰减应用提供了优异的性能平衡。

该器件在关断状态下具备极低的结电容(典型值0.2pF @ 50V, 1MHz),确保了在高频下的高隔离度;在导通状态下则提供低串联电阻(典型值1.5Ω @ 100mA, 100MHz),以实现低插入损耗。50V的峰值反向电压与150°C的结温规格,进一步保障了其在严苛环境下的工作可靠性。

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