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HSMP-386D-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 55V SOT-143-4
原厂封装:封装:SOT-143-4
优势价格,HSMP-386D-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-386D-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-386D-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)表面贴装封装。该器件专为高频信号路径控制而优化,其核心架构基于高性能的PIN结,通过在P型和N型半导体之间引入一层本征(I)区,实现了在正向偏置下极低的电阻与在反向偏置下极小的电容,这一特性使其成为射频开关和衰减器应用的理想选择。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的射频性能上。在零偏压、1MHz测试条件下,其结电容(Cj)典型值低至0.55pF,这确保了在关断状态下对高频信号的隔离度极高,信号泄漏最小。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻(Rs)仅为1.2欧姆,这意味着在导通状态下信号插入损耗极低,有助于维持系统整体的信噪比和链路预算。其55V的最大峰值反向电压高达150°C的结温(TJ)工作能力,赋予了它良好的耐压特性和可靠的热稳定性,适用于环境要求较为严苛的场合。

在接口与关键参数方面,HSMP-386D-TR1G采用4引脚分集开关配置,便于在电路设计中实现信号的双路切换或选通。其1A的最大正向电流能力支持处理较高的射频功率电平。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在存量市场及特定设计中仍具参考价值。对于需要此类高性能射频开关二极管的工程师,可以通过专业的博通中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

该芯片典型的应用场景主要集中在需要快速、低损耗切换射频信号路径的领域。例如,在移动通信基站的天线分集接收系统中,可用于在不同天线之间进行切换以优化接收信号质量;在测试与测量设备中,可作为射频开关矩阵的核心元件;此外,也适用于雷达系统、有线电视(CATV)信号分配以及高频衰减器电路。其SOT-143-4封装非常适合高密度PCB布局,满足现代无线通信设备对小型化的持续需求。

  • 型号:HSMP-386D-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 55V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:引脚 - 4,分集开关
  • 电压 - 峰值反向(最大值):55V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.55pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.2 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • 想获取HSMP-386D-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-386D-TR1G是一款高性能射频PIN开关二极管,采用SOT-143-4封装,专为高频信号路径控制应用而设计。其核心优势在于极低的结电容(0.55pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(1.2Ω @ 100mA, 100MHz),能够在导通与关断状态间实现优异的射频性能平衡。

该器件具备55V的高峰值反向电压和150°C的最大结温工作能力,确保了在严苛环境下的可靠性。其4引脚分集开关配置便于实现信号选通功能,适用于要求低插入损耗和高隔离度的射频开关与衰减器电路。

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