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HSMP-386E-BLKG的图片

HSMP-386E-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-386E-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-386E-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-386E-BLKG是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装。该器件采用一对共阳极配置的PIN结构,这种架构使其在射频信号路径中能够实现高效的开关与衰减功能。其核心优势在于极低的寄生电容与串联电阻,在50V反向偏压和1MHz测试条件下,典型电容值仅为0.2pF,而在100mA正向电流和100MHz条件下,串联电阻低至1.5欧姆,这确保了在高频应用中对信号完整性的影响降至最低。

该二极管的功能特性突出表现在其优异的射频性能上。高达50V的峰值反向电压提供了良好的耐压裕度,而1A的最大正向电流能力则使其能够处理较高的射频功率电平。其工作结温高达150°C,展现了良好的热稳定性与可靠性,适用于环境要求较为严苛的场合。尽管该器件目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在特定存量系统或替代设计中仍具参考价值。如需获取此型号的库存或替代方案,可咨询专业的博通授权代理

在接口与参数层面,HSMP-386E-BLKG的SOT-323表面贴装封装非常适合高密度PCB布局,满足了现代无线设备小型化的需求。其电气参数组合低电容、低电阻、高反向电压共同定义了一个适用于VHF至微波频段的高性能射频开关与调制器件的关键特性。这些参数直接决定了其在电路中的插入损耗、隔离度以及开关速度等核心指标。

基于上述技术特点,HSMP-386E-BLKG典型的应用场景包括蜂窝基站、无线通信基础设施中的射频开关矩阵、可编程衰减器以及高线性度的调制电路。它也适用于测试与测量设备、军用通信系统等需要高性能射频控制功能的领域。其设计旨在为工程师提供一个在宽频带范围内具有快速响应和低失真特性的可靠解决方案。

  • 型号:HSMP-386E-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-386E-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-386E-BLKG是Broadcom(原Avago)推出的一款射频PIN二极管,采用SOT-323封装和共阳极对管结构。其核心电气参数针对高频应用进行了优化,在50V反向偏压下仅产生0.2pF的极低结电容,同时在100mA正向电流下串联电阻低至1.5欧姆,这共同确保了器件在射频路径中引入的损耗和失真极小。

该器件具备50V的峰值反向电压和1A的最大正向电流处理能力,结合150°C的最高工作结温,提供了稳健的功率处理性能和高温工作可靠性。这些特性使其成为设计射频开关、衰减器及调制电路的理想选择,尤其适用于对信号完整性和线性度有较高要求的通信基础设施与测试设备。

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