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HSMP-386F-BLKG的图片

HSMP-386F-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-386F-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-386F-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,HSMP-386F-BLKG采用了先进的半导体工艺,其核心架构基于一对共阴极配置的PIN结。这种结构在射频和微波电路中至关重要,它通过一个本征(I)层夹在P型和N型半导体之间,实现了在正向偏置时呈现低阻抗、反向偏置时呈现高阻抗的可变电阻特性。该器件专为在高达50V的峰值反向电压下稳定工作而设计,其内部构造确保了在宽频带范围内优异的线性度和快速的开关响应。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的射频性能参数上。在反向偏置条件下,其结电容极低,典型值仅为0.2pF @ 50V, 1MHz,这使其在作为射频开关或可变衰减器时,能够最大限度地减少对高频信号的加载效应,保证信号路径的高隔离度和低插入损耗。同时,在正向偏置时,其串联电阻表现出色,典型值为1.5欧姆 @ 100mA, 100MHz,确保了信号在导通状态下的高效传输与低损耗。结合高达1A的最大正向电流和150°C的结温工作能力,该器件具备良好的功率处理能力和环境适应性。

在接口与封装方面,HSMP-386F-BLKG采用了紧凑的SC-70 (SOT-323)表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间,非常适合高密度集成设计,而且其良好的热性能和电气特性使其能够稳定工作在各类射频模块中。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定领域和现有系统中仍有重要价值。对于有相关需求的工程师,可以通过专业的博通中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

基于上述技术特性,该芯片广泛应用于需要高性能射频信号控制的场景。它常被用于蜂窝基站、无线通信设备中的天线调谐与切换电路,以实现多频段支持;在测试与测量仪器中,作为可编程衰减器或开关矩阵的关键元件;此外,在雷达系统、有线电视(CATV)设备以及高频信号路由等应用中,其低电容和高开关速度的优势也能得到充分发挥,是构建高可靠性射频前端的优选器件之一。

  • 型号:HSMP-386F-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):50V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-386F-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-386F-BLKG是一款由Broadcom(原Avago)提供的射频PIN二极管,采用SOT-323微型封装。其核心卖点在于优异的射频开关性能,具备极低的结电容(0.2pF @ 50V)和正向串联电阻(1.5Ω @ 100mA),这确保了在高频应用中的高隔离度与低插入损耗。

该器件设计用于处理高达50V的反向电压和1A的正向电流,工作结温可达150°C,展现了良好的功率处理能力和环境鲁棒性。其共阴极对管结构为设计紧凑的射频控制电路,如天线开关、衰减器和限幅器,提供了高效的解决方案。

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