HSMP-3880-TR1

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-3880-TR1采用了先进的半导体工艺，其核心架构基于单PIN结构。该结构在正向偏置时表现为一个由载流子注入I区形成的低值可变电阻，而在反向偏置时则表现为一个由耗尽层宽度决定的小值、高线性度可变电容。这种独特的物理特性使其能够高效地处理射频信号，实现从直流到高频的快速切换与控制。

该器件在100MHz测试频率下，展现出卓越的电性能。在50V反向偏压时，其结电容（Cj）典型值低至0.3pF，这一特性对于维持高频电路的信号完整性、减少插入损耗至关重要。同时，在1mA正向电流条件下，其射频电阻（Rs）仅为3.8欧姆，确保了在开关或衰减器应用中的低导通损耗。其峰值反向电压高达100V，最大正向电流为1A，结合250mW的最大功耗和高达150°C的结温（Tj）工作能力，赋予了器件出色的鲁棒性和可靠性，能够适应苛刻的工业环境要求。

在接口与封装方面，HSMP-3880-TR1采用了行业标准的SOT-23-3（亦称TO-236-3或SC-59）表面贴装封装。这种紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，便于实现高密度布局，也简化了自动化贴装流程，有利于大规模生产。其引脚排列兼容通用设计，工程师可以便捷地将其集成到现有的射频前端模块或控制电路中。尽管该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的博通代理商渠道，用户依然可以获得库存或替代方案的技术支持。

凭借其低电容、低电阻和高功率处理能力的综合优势，该芯片非常适合应用于需要快速、精准控制射频信号路径的场合。典型应用场景包括蜂窝通信基站、微波中继系统中的射频开关矩阵，用于实现信号在多天线或多频段之间的切换；在电压控制衰减器（VCA）中，通过改变偏置电流来线性调节信号幅度；此外，也常用于高性能限幅器电路，以保护后续灵敏的接收机前端免受大功率信号冲击，在测试测量设备及军用电子系统中亦能找到其用武之地。

• 型号:HSMP-3880-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V，100MHz
• 不同If、F 时电阻:3.8 欧姆 @ 1mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取HSMP-3880-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3880-TR1是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其核心卖点在于优异的射频特性组合：在100MHz频率下，具备低至0.3pF @ 50V的反偏电容和仅为3.8欧姆 @ 1mA的正偏电阻，这为高频开关和衰减应用提供了低插入损耗和高隔离度的关键性能基础。

该器件设计坚固可靠，支持高达100V的峰值反向电压、1A的最大电流以及150°C的结温工作，最大功率耗散为250mW，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数使其成为要求高功率处理能力和快速响应速度的射频控制电路的理想选择。