HSMP-3880-TR1G

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-3880-TR1G采用了先进的半导体工艺，其核心架构基于高性能的单PIN结。该器件在反向偏置条件下，其本征I层能够有效调制，从而实现对射频信号的低损耗控制。这种结构设计使其在宽频带范围内具备优异的线性度与快速开关响应，成为射频前端电路中的关键控制元件。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的射频性能上。在50V反向电压、100MHz工作频率下，其结电容（Cj）典型值仅为0.3pF，这一极低的电容值确保了在高频应用中对信号路径的插入损耗降至最低。同时，在1mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻（Rs）典型值为3.8欧姆，这为其在开关或衰减器应用中提供了良好的导通状态。结合高达100V的峰值反向电压（VRM）和1A的最大正向电流（IF）规格，器件展现了宽动态范围下的可靠工作能力。

在接口与参数方面，HSMP-3880-TR1G采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）表面贴装封装，便于集成到高密度的PCB布局中。其最大功耗为250mW，最高结温（TJ）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要获取此型号原装正品或技术支持的工程师，可以通过授权的博通代理商进行咨询与采购，以保障供应链的可靠性与技术资料的完整性。

基于其技术参数，该芯片的典型应用场景覆盖了广泛的射频系统。它非常适合用于蜂窝基站、微波通信设备中的射频开关与衰减器电路，利用其低电容特性实现高频信号的高隔离度切换。此外，在测试测量仪器、有线电视（CATV）系统以及军用雷达的T/R模块中，它也能作为可调谐元件或限幅器，发挥其快速响应与高功率处理能力的优势。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它依然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:HSMP-3880-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V，100MHz
• 不同If、F 时电阻:3.8 欧姆 @ 1mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取HSMP-3880-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3880-TR1G是一款由Broadcom（原Avago）提供的射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其核心卖点在于优异的射频特性组合，包括在50V/100MHz条件下极低的0.3pF结电容，以及在1mA/100MHz条件下仅为3.8欧姆的串联电阻，这为高频开关和衰减应用提供了低插入损耗与良好导通性能的基础。

器件具备100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流处理能力，最大功耗为250mW，工作结温高达150°C，确保了在要求严苛的射频环境中稳定可靠地运行。这些参数使其成为设计高性能射频前端控制电路的理想选择之一。