HSMP-3880-TR2G

HSMP-3880-TR2G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管。该器件采用经典的PIN结构，其核心在于一个高电阻率的本征（I）区夹在P型和N型半导体区域之间，这种结构使其在射频和微波频段展现出卓越的开关与调制性能。本征区的存在是控制器件电容和串联电阻的关键，决定了其在正向偏置下的低阻抗导通状态与反向偏置下的高阻抗隔离状态之间的快速切换能力。

该二极管的核心优势体现在其优异的射频特性上。在反向偏置50V、频率100MHz的条件下，其结电容（Cj）低至0.3pF，这一特性对于维持高频电路，尤其是开关和衰减器应用中的高隔离度至关重要。同时，在正向偏置1mA、相同频率下，其串联电阻（Rs）典型值为3.8欧姆，确保了在导通状态下具有较低的插入损耗。器件能够承受高达100V的峰值反向电压（VR）和1A的最大电流（IF），结合其250mW的最大功耗和高达150°C的结温（TJ）工作能力，赋予了其良好的鲁棒性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的Broadcom代理商获取相关技术支持和库存信息。

在接口与封装方面，HSMP-3880-TR2G采用了业界通用的TO-236-3（SC-59，SOT-23-3）表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化贴装生产，非常适合高密度集成的现代射频模组设计。其引脚配置兼容标准SOT-23布局，便于工程师进行电路替换和升级。

基于其技术参数，该器件主要面向需要高性能射频控制的场景。它非常适合用于蜂窝基站、无线基础设施中的射频开关电路，能够高效地实现信号路径的选择。在可调衰减器和限幅器设计中，其快速响应和良好的线性度是关键考量。此外，在测试测量设备、军用通信系统以及高频信号调制解调电路中，HSMP-3880-TR2G也能发挥重要作用。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中，它仍然是一款具有参考价值和应用历史的经典射频元件。

• 型号:HSMP-3880-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V，100MHz
• 不同If、F 时电阻:3.8 欧姆 @ 1mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMP-3880-TR2G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其设计针对射频开关、衰减及调制应用进行了优化，在100MHz频率下具备0.3pF @ 50V的低结电容和3.8欧姆 @ 1mA的低串联电阻，有效平衡了高隔离度与低插入损耗的需求。

该器件支持100V的峰值反向电压与1A的最大电流，最大功耗为250mW，工作结温高达150°C，确保了在严苛射频环境下的稳定性和耐用性。这些特性使其成为基站射频前端、测试仪器及高频通信系统中实现高效信号控制与处理的可靠选择。