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HSMP-3892-TR2G的图片

HSMP-3892-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3892-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3892-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-3892-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用串联对管架构,封装于紧凑的SOT-23-3(TO-236-3)封装内。该器件内部集成了两个PIN二极管以串联形式连接,这种结构特别适用于需要对称开关或衰减特性的射频信号路径控制应用。其核心工作原理基于PIN结构在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗的特性,并且其结电容和串联电阻值在射频频段内表现稳定,是实现高效射频开关、衰减器和限幅器的关键。

该器件在射频性能上具有显著特点。其峰值反向电压高达100V,提供了良好的功率处理能力和信号隔离度。在5V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为0.3pF,这一极低的电容值确保了在高频乃至微波频段下,器件对信号路径的插入损耗和相位影响降至最低。同时,在5mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻典型值为2.5欧姆,这使其在导通状态下能够实现较低的插入损耗,提升系统效率。其最高工作结温为150°C,保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要获取此型号进行设计验证或备货的用户,可以通过正规的博通一级代理渠道进行咨询。

在接口与参数层面,HSMP-3892-TR2G采用标准的三引脚SOT-23封装,便于PCB布局和自动化贴装。其最大正向电流为1A,能够承受较高的瞬态电流冲击。结合其低电容、低电阻以及高反向电压的特性,这些参数共同定义了一个性能均衡的射频控制元件。虽然该产品状态已标注为停产,但其成熟的性能参数和广泛的设计案例,使其在诸多现有系统和替代选型参考中仍具有重要的技术价值。

基于其技术特性,HSMP-3892-TR2G非常适合应用于对线性度和隔离度有要求的射频前端模块。典型应用场景包括蜂窝基站、无线通信基础设施中的收发(T/R)开关,用于保护接收机前端的限幅器电路,以及需要精密电平控制的电压可调衰减器(VVA)。此外,在测试测量设备、卫星通信终端以及一些军用射频系统中,也能见到此类高性能PIN二极管的身影,用于实现信号的快速切换、调制或保护。

  • 型号:HSMP-3892-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3892-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3892-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款射频PIN二极管对管,采用SOT-23-3封装。其核心优势在于优异的射频特性组合:提供高达100V的峰值反向电压以确保良好的隔离与耐用性,同时在5V偏压下仅0.3pF的极低结电容,有效最小化了高频信号路径中的损耗与失真。

该器件在导通状态下具备低至2.5欧姆的串联电阻(测试条件:5mA, 100MHz),有助于降低插入损耗,提升系统效率。其1A的最大正向电流承受能力和150°C的最高工作结温,进一步保证了其在严苛射频环境下的稳定性和可靠性,使其成为射频开关、衰减器及限幅器设计的优选元件。

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