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HSMP-3893-TR2G的图片

HSMP-3893-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMP-3893-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3893-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款高性能射频PIN二极管,HSMP-3893-TR2G采用独特的共阳极对管架构。其内部集成了两个独立的PIN结,共享一个阳极连接点,这种设计在紧凑的封装内实现了优异的对称性和匹配性,特别适用于需要高隔离度和低插入损耗的平衡式射频开关与衰减器电路。该器件由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计制造,体现了其在射频半导体领域的深厚技术积累,用户可通过正规的博通授权代理渠道获取原厂技术支持与供货保障。

在功能表现上,该二极管的核心优势在于其卓越的射频特性。其极低的结电容(典型值0.3pF @ 5V, 1MHz)确保了在高频段(如L波段及以上)工作时,信号通过时的寄生效应被最小化,从而维持了良好的信号完整性。同时,在正向偏置下,它展现出较低的射频电阻(典型值2.5欧姆 @ 5mA, 100MHz),这使得它在导通状态下能够实现很低的插入损耗,对于提升系统整体效率至关重要。高达100V的峰值反向电压和150°C的最大结温,赋予了其良好的鲁棒性和可靠性。

从接口与参数来看,HSMP-3893-TR2G采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,便于在密集的PCB板上进行自动化贴装,满足现代电子设备小型化的需求。其电气参数定义明确,例如1A的最大正向电流能力,使其能够处理一定的射频功率。这些参数共同刻画了一个在宽频带内性能均衡的射频控制元件,尤其适合在需要快速切换和精密控制的场合中使用。

在应用场景方面,这款器件主要面向通信基础设施、测试测量设备以及高性能消费电子领域。它常被用于蜂窝基站、微波无线电中的收发(T/R)开关,实现天线在接收与发射模式间的无缝切换;在可编程衰减器和限幅器中,利用其电阻值随偏置电流变化的特性来精确控制信号幅度;此外,在宽带匹配网络和相位调整电路中也能发挥重要作用。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应中,它依然是一个经典且值得参考的设计选择。

  • 型号:HSMP-3893-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMP-3893-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3893-TR2G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频PIN二极管对管,采用SOT-23-3封装。其核心价值在于为射频开关与衰减应用提供了优异的性能组合。

该器件在5V偏压、1MHz条件下电容值低至0.3pF,有助于减少高频信号损耗;同时在5mA偏流、100MHz下射频电阻仅为2.5欧姆,确保了导通状态下的低插入损耗。其100V的高反向击穿电压与150°C的结温规格,进一步保证了在苛刻环境下的工作可靠性。

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