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HSMP-389C-TR1G的图片

HSMP-389C-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-389C-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-389C-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-389C-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用串联对管结构,封装于紧凑的SC-70(SOT-323)塑封外壳中。该器件专为高频信号控制与处理而优化,其核心架构基于一对串联的PIN结,这种设计在反向偏置时呈现极低的结电容,而在正向偏置时则提供可控的低电阻通路,从而在射频开关、衰减及调制电路中实现高效的信号路径切换与幅度控制。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。在5V反向偏压、1MHz测试条件下,其典型结电容仅为0.3pF,这一极低的电容值确保了在UHF乃至更高频段下,器件对信号通路引入的插入损耗和相位失真极小。同时,在5mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻典型值为2.5欧姆,保证了在“导通”状态下具有较低的信号衰减。其100V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,提供了宽裕的工作裕量和良好的可靠性。值得注意的是,该器件结温最高可达150°C,适应于要求较高环境温度的应用场合。

在接口与参数层面,HSMP-389C-TR1G采用标准的三引脚SOT-323封装,便于PCB布局和自动化贴装。其电气参数,特别是电容与电阻随偏置电压和频率变化的特性,是射频电路设计中的关键考量因素。用户在设计匹配网络和控制电路时,需参考其在不同工作点下的S参数或等效电路模型,以实现最优的系统性能。对于需要获取官方技术支持和正品货源的设计项目,建议通过博通授权代理进行采购与咨询。

基于其高性能指标,HSMP-389C-TR1G非常适用于对插入损耗和隔离度有严格要求的射频应用场景。典型应用包括蜂窝基站、微波通信系统中的收发(T/R)开关、可编程衰减器、以及相位调制器中的电控元件。此外,在测试测量设备如矢量网络分析仪的信号路径选择模块,以及高性能卫星电视接收系统的低噪声模块中,也能发挥关键作用。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定长生命周期产品设计中,它仍然是一个经过验证的高可靠性选择。

  • 型号:HSMP-389C-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-389C-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-389C-TR1G是Broadcom(原Avago)推出的一款高性能射频PIN二极管对管,采用SOT-323微型封装。其核心价值在于为高频电路设计提供了优异的开关与调控性能。

该器件在5V反偏下仅0.3pF的极低结电容,确保了在高频应用中的低损耗与高隔离度。同时,其2.5欧姆的正向导通电阻(@5mA, 100MHz)有助于最小化信号衰减。结合100V的高反向击穿电压与150°C的最大结温,使其能够在苛刻的射频环境中稳定工作,适用于要求高功率处理能力和可靠性的设计。

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