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HSMP-389F-TR1的图片

HSMP-389F-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-389F-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-389F-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,HSMP-389F-TR1采用了先进的半导体工艺,其核心架构基于一对共阴极配置的PIN结。这种结构在零偏压或反偏压下,其本征I层能够展现出极低的结电容,而在正向偏置时,I层中注入的载流子则能提供可变的电阻特性,这使得该器件能够高效地工作在射频开关、衰减及调制电路中。其内部对称的共阴极设计,特别有利于简化电路布局,实现紧凑的射频前端模块设计。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在5V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值低至0.3pF,这一特性确保了在高达数GHz的射频频率范围内,器件引入的插入损耗和信号失真被降至最低,这对于维持高频信号的完整性至关重要。同时,在5mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻仅为2.5欧姆,这赋予了它出色的导通状态性能,能够有效处理射频信号通路中的功率。其峰值反向电压高达100V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,共同构成了其高功率处理能力和优异的可靠性基础。

在接口与参数方面,HSMP-389F-TR1采用了标准的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其紧凑的引脚布局也优化了高频下的寄生参数,使得设计工程师能够更容易地实现阻抗匹配和信号路径的优化。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的工艺和经过市场验证的性能,使其在特定应用领域依然具有重要价值。工程师在为新项目选型或为现有设备寻找替代方案时,可以通过专业的博通代理商渠道获取库存信息或技术支持。

基于上述技术特性,该芯片非常适用于对尺寸和性能有严格要求的射频应用场景。它常被部署在蜂窝基站、无线通信模块、测试测量设备以及卫星通信系统的射频前端,主要功能是实现天线切换、信号衰减、功率调制以及保护电路中的限幅器。其低电容和高电阻切换比的特性,使其在需要快速、低损耗切换射频信号路径的设计中成为理想选择,能够有效提升整个射频链路的动态范围和线性度。

  • 型号:HSMP-389F-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-389F-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-389F-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-323微型封装。其核心优势在于极低的结电容(0.3pF @ 5V, 1MHz)和优异的串联电阻特性(2.5Ω @ 5mA, 100MHz),这共同确保了器件在高频应用中的低插入损耗和高隔离度。

该器件设计用于处理高达100V的峰值反向电压和1A的电流,结合150°C的最高结温,提供了可靠的功率处理能力。其共阴极对管结构简化了电路设计,使其成为射频开关、衰减器、调制器及限幅器等应用的紧凑、高效解决方案。

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