HSMP-389F-TR1G

HSMP-389F-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用紧凑型SOT-323（SC-70）封装。该器件采用一对共阴极配置的PIN结构，其核心在于利用本征半导体层（I层）在射频信号控制下的特性变化。在零偏或反偏状态下，I层耗尽，器件呈现极低的结电容，使其成为高效的高频开关或可变衰减器；在正向偏置下，载流子注入I层，使其呈现为一个由直流偏置电流控制的低值线性电阻，这一特性使其非常适合用于射频信号的调制与电平控制应用。

该二极管的关键性能参数体现了其在射频电路设计中的优势。其峰值反向电压高达100V，提供了良好的电压裕度和可靠性。在5V反向偏压和1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.3pF，这一极低的关态电容确保了在高频段（如UHF及以上）仍能保持优异的隔离度，最小化对信号通路的寄生影响。同时，在5mA正向偏置电流和100MHz条件下，其串联电阻典型值为2.5欧姆，保证了在导通状态下的低插入损耗。最大正向电流为1A，结合高达150°C的结温，使其能够承受一定的功率处理需求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过博通一级代理获取该产品的库存与技术资料。

在接口与参数方面，HSMP-389F-TR1G作为一款表面贴装器件，其SOT-323封装非常适合高密度PCB布局。其电参数，特别是电容与电阻随偏置电压/电流的变化曲线，是设计精准控制电路的关键依据。设计师需要根据具体的工作频率、功率电平和切换速度要求，来优化其驱动电路，以实现最佳的射频性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有系统和备件市场中仍有一席之地。

基于其特性，HSMP-389F-TR1G主要面向需要高性能射频开关、衰减器或调制器的应用场景。例如，在蜂窝通信基站、微波中继链路、测试测量仪器以及军用电子系统中，它可用于实现信号路径的选择、增益控制或脉冲调制。其共阴极结构特别适合于需要对称控制或并联配置以处理更高功率的电路设计。这款器件是工程师在解决高频信号控制与处理问题时，一个经过验证的经典解决方案。

• 型号:HSMP-389F-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• 想获取HSMP-389F-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-389F-TR1G是博通（原安华高）推出的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-323微型封装。其核心是一对共阴极配置的PIN结构，通过在反向偏置下提供极低的结电容（0.3pF @ 5V, 1MHz）和在正向偏置下提供可控的低串联电阻（2.5Ω @ 5mA, 100MHz），实现了对射频信号的高效开关与衰减控制。

该器件具备100V的高峰值反向电压和1A的最大正向电流，确保了其在严苛射频环境下的可靠性与鲁棒性，最高结温可达150°C。这些参数使其成为设计紧凑型、高性能射频前端模块的理想选择，适用于需要快速切换和精密信号调制的场合。