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HSMP-481B-TR1G的图片

HSMP-481B-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-481B-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-481B-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

在射频信号处理领域,HSMP-481B-TR1G是一款基于PIN二极管技术的射频开关与衰减器专用芯片,其核心架构围绕高性能的单PIN结构建。该器件采用先进的半导体工艺,在紧凑的封装内实现了优异的射频特性与高可靠性。其设计重点在于优化高频条件下的电容与电阻参数,确保在宽频带范围内保持稳定的信号控制能力,这对于需要精确调制射频信号路径的电路至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的射频性能上。在50V反向偏压和1MHz测试条件下,其结电容低至0.4pF,这一特性显著降低了高频信号通过时的插入损耗和相位失真,使其非常适合高频应用。在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻仅为3欧姆,确保了在导通状态下具有较低的信号衰减。同时,其峰值反向电压高达100V,提供了良好的电压耐受性,而最大正向电流为1A,支持较高的功率处理能力。其结温最高可达150°C,保证了在严苛环境下的稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的博通芯片代理获取相关产品与技术资料。

在接口与参数方面,该器件采用标准的SC-70(SOT-323)表面贴装封装,体积小巧,便于集成到高密度的PCB布局中。其电气接口简洁,作为二端器件,易于在电路中作为串联或并联元件使用。关键参数如低电容、低电阻和高击穿电压,共同定义了其在射频电路中的核心价值,使其能够在保持信号完整性的同时,实现高效的开关、调制或衰减功能。

基于上述技术特性,HSMP-481B-TR1G主要面向需要高性能射频控制的场景。它广泛应用于通信基础设施,如基站中的天线调谐与信号路径切换;在测试与测量设备中,用于构建精密的可编程衰减器或开关矩阵;此外,在卫星通信、雷达系统以及高频有线电视(CATV)设备中,也能发挥其低损耗、高速度的优势。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应中,它仍然是一个经过验证的关键组件选择。

  • 型号:HSMP-481B-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-481B-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-481B-TR1G是安华高科技(现博通)推出的一款射频PIN二极管,采用SOT-323封装。其核心卖点在于优异的射频性能组合:在1MHz和50V条件下仅0.4pF的极低结电容,以及在100MHz和100mA条件下仅3欧姆的串联电阻,这使其在高频应用中能实现低插入损耗和低失真。

该器件具备100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流,提供了良好的功率处理能力和电压鲁棒性,最高结温为150°C,确保了工作的可靠性。这些参数使其成为射频开关、衰减器和调制电路中实现高效信号控制的关键元件。

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