HSMP-482B-TR2G

HSMP-482B-TR2G 是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用先进的半导体工艺制造。该器件基于单PIN结架构，其核心在于一个高电阻率的本征（I）区夹在P型和N型半导体区域之间，这种结构使其在射频和微波频段展现出独特的电学特性。其设计优化了载流子在正向偏置下的注入与存储，以及在反向偏置下的耗尽过程，从而实现了对射频信号高效、快速的可控衰减与开关功能。

该二极管的关键性能体现在其卓越的射频特性上。在反向偏置条件下，其结电容极低，典型值仅为0.75pF @ 20V, 1MHz，这对于维持高频电路的高隔离度和低插入损耗至关重要。在正向偏置时，其串联电阻表现出色，典型值为600毫欧 @ 10mA, 100MHz，确保了信号在导通状态下的低损耗传输。器件能够承受高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流，提供了宽裕的设计余量。其结温最高可达150°C，保证了在严苛环境下的可靠工作。

在接口与封装方面，HSMP-482B-TR2G采用了微型化的SC-70 (SOT-323)表面贴装封装。这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度集成设计，其紧凑的物理结构也有助于减少寄生参数，优化高频性能。工程师在设计和采购时，可以通过正规的博通授权代理渠道获取完整的技术支持和原厂品质保证。

凭借其优异的射频开关和衰减性能，该器件广泛应用于需要精密控制射频信号路径的场合。典型应用包括蜂窝基站、微波通信系统中的收发（T/R）开关和衰减器模块，测试测量设备中的可编程衰减器，以及有线电视（CATV）线路中的增益均衡与开关电路。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件供应链中，它仍然是一个经过验证的高性能解决方案。

• 型号:HSMP-482B-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:50V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.75pF @ 20V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• 想获取HSMP-482B-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-482B-TR2G 是Broadcom（原安华高）推出的一款高性能射频PIN二极管，专为微波及射频电路中的开关与衰减应用而优化。其核心优势在于极低的结电容（0.75pF @ 20V）和串联电阻（600mΩ @ 10mA），这共同确保了在高频工作状态下具有出色的隔离度与低插入损耗。

该器件采用微型SOT-323封装，适合高密度电路板设计，并能承受50V的反向电压与1A的电流，工作结温高达150°C，提供了可靠的性能边界。这些特性使其成为通信基础设施、测试仪器等要求严苛的射频系统中的关键元件。