HSMP-4890-TR2G

HSMP-4890-TR2G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管。该器件采用经典的PIN结构，其核心在于一个宽的本征（I）区夹在P型和N型半导体区域之间，这种结构使其在高频下展现出独特的电气特性。本征区的存在使得二极管在正向偏置时能够存储电荷，表现为一个由电流控制的可变电阻，而在反向偏置时则表现为一个与电压相关的低值电容，这一特性是其能够广泛应用于射频信号控制电路的基础。

该二极管的关键性能参数定义了其在电路中的卓越表现。其峰值反向电压高达100V，提供了良好的耐压裕量，增强了在高压摆幅环境下的可靠性。在5V反向偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.375pF，极低的电容值确保了在高频乃至微波频段引入的插入损耗最小化，对信号通路的影响微乎其微。同时，在5mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻低至2.5欧姆，这直接转化为优异的导通状态插入损耗性能，对于需要低损耗切换的射频开关和衰减器应用至关重要。其工作结温高达150°C，适应严苛的工作环境。

在物理实现上，HSMP-4890-TR2G采用了行业标准的SOT-23-3表面贴装封装（亦称为TO-236-3或SC-59）。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，便于高密度集成，也符合现代电子设备小型化的趋势。其紧凑的尺寸与优异的射频性能相结合，使其成为射频前端模块中空间受限区域的理想选择。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的博通芯片代理获取相关技术资料与采购支持。

基于其技术特性，HSMP-4890-TR2G主要面向需要高性能信号控制与处理的射频应用领域。它常被用于构建射频开关，实现信号路径的选择与切换；在可调衰减器设计中，通过控制偏置电流来精确调节衰减量；同时也适用于天线调谐匹配电路、限幅器以及相位调制器等电路。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，但其成熟的设计、稳定的性能以及在众多现有设备设计中的广泛应用，使其在维护、备件以及特定延续性项目中仍具有重要参考价值。

• 型号:HSMP-4890-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.375pF @ 5V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMP-4890-TR2G是博通（原安华高）推出的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其核心优势在于为高频控制电路提供了优异的参数平衡。

该器件具备100V的高峰值反向电压与150°C的最大工作结温，确保了应用的可靠性。其关键射频性能指标突出：在5V反偏下结电容典型值低至0.375pF，有效最小化了高频插入损耗；同时在5mA正向偏置下串联电阻仅为2.5欧姆，实现了低损耗的导通状态。这些特性使其非常适用于对损耗和隔离度有严格要求的场景。

综合来看，HSMP-4890-TR2G凭借其低电容、低电阻和高耐压的特点，成为设计紧凑型射频开关、可调衰减器及天线调谐匹配电路的经典选择之一。