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HSMS-2702-TR1的图片

HSMS-2702-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2702-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2702-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2702-TR1是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基势垒二极管,这种架构使其在射频信号处理中表现出色,特别适用于需要低正向压降和快速开关特性的高频电路。其串联配置有助于在特定应用中实现更高的反向击穿电压容限,同时维持了肖特基二极管固有的低结电容优势,为高频下的信号完整性提供了基础保障。

该芯片的核心功能特点在于其卓越的高频性能。其极低的结电容(典型值6.7pF @ 0V, 1MHz)低串联电阻(典型值650毫欧 @ 100mA, 1MHz)的组合,使其在高达数GHz的频率范围内仍能保持较低的插入损耗和良好的阻抗匹配,这对于射频检波、混频以及信号钳位等应用至关重要。其最大正向电流为350mA,峰值反向电压为15V,最大功耗为250mW,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。用户在选择和采购时,通过正规的博通授权代理渠道,可以确保获得原装正品,保障设计方案的性能与长期供应支持。

在电气接口与参数方面,HSMS-2702-TR1提供了标准的三引脚SOT-23-3封装,便于自动化贴装和高密度PCB布局。其电气参数经过优化,在零偏压下的低电容特性使其对高频信号的加载效应最小化,而适中的反向击穿电压则满足了多数低电压逻辑接口保护和信号调理电路的需求。这些参数共同定义了一个性能均衡的射频二极管解决方案,尤其适合对空间和频率响应有严格要求的场合。

基于上述特性,HSMS-2702-TR1广泛应用于通信设备、测试仪器及消费电子等领域。典型应用场景包括UHF至微波频段的小信号检波射频混频器中的平衡二极管对、以及高速数字电路中的ESD保护和信号钳位。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设备和备件供应链中,它仍然是一个经典且经过验证的选择,尤其适合对Avago/Broadcom射频二极管技术有延续性要求的升级或维护设计项目。

  • 型号:HSMS-2702-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:350 mA
  • 不同Vr、F 时电容:6.7pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:650 毫欧 @ 100mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMS-2702-TR1是一款采用SOT-23-3封装的表面贴装肖特基二极管对,由安华高科技(Avago/Broadcom)生产。其内部为两个串联的肖特基二极管结构,核心优势在于为射频应用优化的高频参数。

该器件在0V偏压和1MHz条件下提供仅6.7pF的典型结电容,并在100mA电流下具备650毫欧的低串联电阻,这确保了其在高达GHz频段仍能实现低插入损耗和快速响应。其额定峰值反向电压为15V,最大正向电流350mA,功耗250mW,最高结温150°C,参数组合均衡,适用于小信号处理场景。

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