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HSMS-2702-TR2G的图片

HSMS-2702-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2702-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2702-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2702-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基二极管,这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的导通特性,特别适用于需要精确信号处理的电路。其核心优势在于将两个二极管单元集成于单一微型封装内,不仅节省了宝贵的PCB空间,还确保了两个二极管单元之间优异的热匹配和电气一致性,这对于维持高频电路的稳定性和性能至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。作为一款射频肖特基二极管,它具备极低的结电容,典型值在0V偏压下为6.7pF(@1MHz),这使其在高频开关和信号混频应用中能够实现快速的响应速度,并有效减少对信号完整性的影响。同时,其串联配置和低至650毫欧(@100mA, 1MHz)的串联电阻,有助于降低导通损耗和信号衰减。其15V的最大反向峰值电压350mA的最大正向电流能力,为设计提供了可靠的裕量。尽管该产品已处于停产状态,但在许多现有系统和备件供应中仍有需求,通过可靠的博通芯片代理渠道仍可获得。

在接口与参数方面,HSMS-2702-TR2G采用标准的三引脚SOT-23-3(TO-236-3)封装,便于自动化贴装。其最大功耗为250mW,最高结温可达150°C,展现了良好的热可靠性。低电容与低电阻的组合参数,直接定义了其在射频领域的适用边界,使其能够在VHF至低微波频段保持高效工作。这些电气参数共同塑造了器件在高速开关、低损耗整流方面的核心价值。

基于其技术特性,HSMS-2702-TR2G典型的应用场景主要集中在射频前端电路。它非常适合用于混频器、检波器、采样保持电路以及高速开关矩阵中。在通信设备、测试与测量仪器以及雷达接收模块中,该器件能够有效处理小信号,实现频率转换或信号检测功能。其微型封装也使其成为空间受限的便携式无线设备和高密度模块化设计的理想选择。

  • 型号:HSMS-2702-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:350 mA
  • 不同Vr、F 时电容:6.7pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:650 毫欧 @ 100mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2702-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2702-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对,采用SOT-23-3封装,内部集成两个串联二极管单元。该器件专为高频应用优化,其核心卖点在于极低的结电容(6.7pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(650mΩ @ 100mA, 1MHz),确保了在高频信号路径中的快速开关速度和低插入损耗。

其电气规格包括15V的最大反向峰值电压、350mA的最大正向电流以及250mW的功率耗散能力,结温最高可支持至150°C,提供了稳健的工作范围。这些参数使其非常适用于要求高速、低损耗的射频电路,如混频、检波和开关应用。

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